Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauteil mit wenigstens einem Halbleiterbauelement und ein Verfahren zu seiner Herstellung gemäß den unabhängigen Ansprüchen.The invention relates to an electronic component with littleleast a semiconductor device and a method for itsManufactured according to the independent claims.
Elektronische Bauteile mit einem Halbleiterbauelement, das beispielsweise ein integrierter Halbleiterchip sein kann, können mit einem Chipträger zur Montage des Halbleiterbauelements auf einer der Oberflächen des Chipträgers versehen sein, wobei das Halbleiterbauelement mit Lötanschlußstellen versehen und elektrisch mit dem Chipträger verbunden ist. Die Lötanschlußstellen bilden dabei eine leitende Verbindung durch Öffnungen des Chipträgers hindurch, die sich von einer ersten Oberfläche des Chipträgers durch den Chipträger hindurch bis zu einer zweiten Oberfläche erstrecken. Zumindest der Halbleiterchip bzw. das Halbleiterbauelement ist dabei von einem Gehäuse umgeben, das beispielsweise durch Umpressen mit einer Pressmasse, in einer Globetop-Technik oder aus einer Unterfüllung einer Flipchip-Anordnung hergestellt sein kann.Electronic components with a semiconductor device thatcan be an integrated semiconductor chip, for example,can with a chip carrier for mounting the semiconductor deviceelements on one of the surfaces of the chip carrierbe, the semiconductor device with solder connection pointsprovided and electrically connected to the chip carrier. TheSolder connection points form a conductive connectionthrough openings in the chip carrier, which differ from afirst surface of the chip carrier through the chip carrierextend through to a second surface. At leastthe semiconductor chip or the semiconductor component is includedsurrounded by a housing, for example by pressingwith a molding compound, in a Globetop technique or from eggner underfill a flip chip arrangement be madecan.
Bei derartigen elektronischen Bauteilen können die Halbleiterbauelemente bzw. -chips auf Metal-Lead-Frames oder Laminatsubstrate als Chipträger montiert sein. Der Chip kann anschließend entweder in Drahtbond-Technik oder Flipchip-Technik kontaktiert werden. Die Verkapselung des Halbleiterbauelements oder -chips erfolgt durch Umpressen mittels Transfermolding. An der Unterseite des Halbleiterbauelements befinden sich Kontaktanschlüsse oder Kontaktpads des elektronischen Bauteils. Da diese Bauelemente keine üblichen Pinanschlüsse aufweisen, spricht man von "Leadless Bauelementen" sowie von "Leadless Chip Carriern" (LCC).With such electronic components, the half leadConstruction elements or chips on metal lead frames or laminate substrates can be mounted as a chip carrier. The chip canclosing either in wire bond technology or flipchipTechnology can be contacted. Encapsulation of the semiconductorComponents or chips are made by pressingTransfer molding. At the bottom of the semiconductor devicethere are contact connections or contact pads of the electroAfrican component. Because these components are not common pinanhave conclusions, one speaks of "leadless components"as well as from "Leadless Chip Carriers" (LCC).
Die Lead-Frame-Herstellung für Gehäuse erfolgt beispielsweise durch sogenanntes Electroforming. Der Lead-Frame erhält auf diese Weise eine typische Pilzform. Bei diesem Herstellungsprozeß des Lead-Frames ist jedoch keine Umverdrahtung im Gehäuse möglich. Dies bedeutet, dass der letztendliche Package Footprint entsprechend der Größe des Halbleiterbauelements (Die Bond) und der Größe der Drahtbondanschlüsse (Wire-Bond-Fläche) ist. Dies bringt Nachteile hinsichtlich der Produktvielfalt, da bei größer werdenden Chips entsprechend größere Gehäuse verwendet werden müssen. Umverdrahtungsebenen können mit Keramiksubstraten bzw. sog. Umverdrahtungsplatten (PCB) realisiert sein. Die Nachteile dieser bekannten Substrate sind unter anderem die Herstellungskosten sowie die geringe Packungsdichte, die damit erzielt werden kann.The lead frame production for housings takes place, for examplethrough so-called electroforming. The lead frame gets onthis way a typical mushroom shape. In this manufacturingprocess of the lead frame is not rewiring in the Gehousing possible. This means that the ultimate packageFootprint according to the size of the semiconductor device(The bond) and the size of the wire bond connections (wire bondArea). This brings disadvantages with regard to the productdiversity, because as chips get bigger they are biggerHousing must be used. Rewiring levels canwith ceramic substrates or so-called rewiring boards (PCB)be realized. The disadvantages of these known substratesinclude the manufacturing costs and the lowPacking density that can be achieved with it.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein "leadless" Bauelement zur Verfügung zu stellen, das möglichst geringe Abmessungen aufweist.The object of the invention is to provide a "leadless" componentTo provide the smallest possible dimensionshas.
Dies Aufgabe wird mit dem Gegenstand der unabhängigen Ansprüche gelöst. Merkmale vorteilhafter Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.This task is the subject of independent claimsche solved. Features of advantageous developments of the Erfindung arise from the dependent claims.
Erfindungsgemäß weist das elektronische Bauteil wenigstens ein Halbleiterbauelement auf, das eine aktive Vorderseite mit Halbleiterstrukturen und Kontaktanschlüssen und eine passive Rückseite ohne Halbleiterstrukturen aufweist. Das Halbleiterbauelement liegt mit seiner passiven Rückseite auf einer Auflagebasis bzw. einem Auflagesockel einer elektrisch leitenden Umverdrahtungsstruktur auf und ist mit dieser Auflage fest verbunden (gebondet). Zudem sind die Kontaktanschlüsse des Halbleiterbauelements mit Kontaktflächen der Umverdrahtungsstruktur elektrisch leitend verbunden. Weiterhin weist das elektronische Bauteil ein Gehäuse auf, aus dem Außenkontakte der Umverdrahtungsstruktur zur elektrischen Kontaktierung des elektronischen Bauteils nach außen geführt sind.According to the invention, the electronic component at least hasa semiconductor device that has an active frontSemiconductor structures and contact connections and a passiveBack without semiconductor structures. The semiconductorWith its passive back, component lies on an openbase or a base of an electrically conductiveRewiring structure and is firm with this editionconnected (bonded). In addition, the contact connections of theSemiconductor component with contact areas of the rewiringelectrically connected structure. Furthermore, theelectronic component on a housing from which external contactsthe rewiring structure for electrical contacting of theelectronic component are guided to the outside.
Der Vorteil dieses erfindungsgemäßen elektronischen Bauteils liegt insbesondere in der damit erzielbaren wesentlich höheren Packungsdichte. Die Umverdrahtungsstruktur kann über wenigstens zwei, drei oder auch über mehr aufeinander liegenden Lagen verfügen und ermöglicht es dadurch, auf die ansonsten notwendigen Maßnahmen zur elektrischen Umverdrahtung zu verzichten. Die Außenkontakte können direkt auf entsprechende Leiterbahnen einer gedruckten Schaltung aufgesetzt und mit diesen verbunden werden.The advantage of this electronic component according to the inventionlies in particular in the amount that can be achieved with itpacking density. The rewiring structure can be done via weat least two, three or more than one anotherDispose of locations and thereby enables to the otherwisenecessary measures for electrical rewiring to verdo without. The external contacts can directly on correspondingConductor tracks of a printed circuit put on and withthese are connected.
Eine Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass die elektrisch leitendende Umverdrahtungsstruktur als dreidimensionale Struktur ausgebildet ist, womit erhebliche Vorteile hinsichtlich der erzielbaren Kompaktheit des gesamten elektronischen Bauteils verbunden sind. Unter einer dreidimensionalen Struktur wird nachfolgend die Möglichkeit einer Kreuzung von Leiterbahnen ohne leitende Verbindung der Kreuzungsstellen verstanden. Das heißt, die Leiterbahnstrukturen der dreidimensionalen Umverdrahtungsstruktur ermöglichen Verbindungen von den Kontaktanschlüssen des Halbleiterbauelements zu Außenkontakten des elektronischen Bauteils, die nicht mehr von den geometrischen Vorgaben des Halbleiterbauelements abhängig sind.One embodiment of the invention provides that the electric conductive rewiring structure as three-dimensionalle structure is formed, with significant advantagesvisibly the achievable compactness of the entire electronicsare connected component. Under a three-dimensionalStructure will subsequently have the possibility of crossingConductor tracks without conductive connection of the crossing pointsRoger that. That is, the circuit structures of the dreidiDimensional rewiring structure enables connectionsfrom the contact connections of the semiconductor component to AuExternal contacts of the electronic component, which are no longer ofdepending on the geometric specifications of the semiconductor componentare.
Bei einer weiteren erfindungsgemäßen Ausführungsform weist die elektrisch leitende Umverdrahtungsstruktur wenigstens zwei oder mehr Schichten auf, was insbesondere Vorteile hinsichtlich der gestalterischen Freiheitsgrade bei der Umverdrahtung der elektrischen Anschlüsse des Halbleiterbauelements mit sich bringt.In a further embodiment according to the inventionthe electrically conductive rewiring structure at leasttwo or more layers on what particular advantages point outvisually the creative degrees of freedom with the UmverWiring the electrical connections of the semiconductor devicebrings with it.
Bei einer Ausführungsform der Erfindung sind die Umverdrahtungsstruktur und das Halbleiterbauelement von einem Gehäuse umgeben. Das Gehäuse besteht beispielsweise aus Kunststoff bzw. einer üblichen Pressmasse, die ggf. Fasereinlagerungen aufweisen kann. Das Gehäuse kann beispielsweise durch Umpressen mit einer Pressmasse, in einer Globetop-Technik oder aus einer Unterfüllung einer Flipchip-Anordnung hergestellt sein. Diese erfindungsgemäße Anordnung weist den Vorteil auf, dass damit auf einfachem Weg ein komplettes elektronisches Bauteil hergestellt werden kann, das bereits im gekapselten Gehäuse seine gesamte Umverdrahtung beinhaltet. Zusätzliche Umverdrahtungen auf Keramik oder PCB-Basis können auf diese Weise entfallen.In one embodiment of the invention, the rewiringtion structure and the semiconductor device from a housingsurround. The housing is made of plastic, for exampleor a conventional molding compound, which may contain fibercan have. The housing can, for example, by pressingwith a molding compound, in a Globetop technique or from an underfill of a flip chip arrangement.This arrangement according to the invention has the advantage thata complete electronic component in a simple waycan be manufactured that already in the encapsulated housingincludes all of its rewiring. Additional conversionsCeramic or PCB based wiring can be done in this wayomitted.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung sind die Kontaktanschlüsse des Halbleiterbauelements mit den Kontaktflächen der Umverdrahtungsstruktur mittels Drahtbondverbindungen elektrisch leitend verbunden. Alternativ können sie jedoch mit den Kontaktflächen der Umverdrahtungsstruktur auch mittels Flipchip-Technik verbunden sein, was weitere Vorteile hinsichtlich der Kompaktheit sowie der einfachen Herstellbarkeit des elektronischen Bauteils mit sich bringt.According to a further embodiment of the invention, theContact connections of the semiconductor device with the contactareas of the rewiring structure using a wire bondelectrically connected. Alternatively, they canhowever, also with the contact areas of the rewiring structurebe connected by flip-chip technology, which further advantagesin terms of compactness and ease of manufactureof the electronic component.
Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ist unter dem Auflagesockel der elektrisch leitenden Umverdrahtungsstruktur mit dem darauf befestigten Halbleiterbauelement wenigstens ein Außenkontakt des elektronischen Bauteils angeordnet. Diese erfindungsgemäße Anordnung weist den Vorteil auf, dass gegenüber den bekannten Lead-Frame-Bauteilen eine deutlich kompaktere Realisierung des elektronischen Bauteils ermöglicht ist.According to one embodiment of the invention is under the onlocation base of the electrically conductive rewiring structurewith the semiconductor component attached to it at leastan external contact of the electronic component is arranged. these arrangement according to the invention has the advantage that gecompared to the well-known lead frame components, a significantlyenables more precise realization of the electronic componentis.
Die dreidimensionale Umverdrahtungsstruktur erlaubt dabei mehrfache Kreuzungen der Leitungen sowie unter anderem auch eine Plazierung von Außenkontakten unter dem Halbleiterbauelement, da der Außenkontakt vom Auflagesockel in diesem Fall durch eine Zwischenlage der Pressmasse des Kunststoffgehäuses getrennt und elektrisch isoliert ist.The three-dimensional rewiring structure allowsmultiple crossings of the lines as well as among othersa placement of external contacts under the semiconductor deviceelement, since the external contact from the support base in this caseby an intermediate layer of the molding compound of the plastic housingis separated and electrically isolated.
Eine Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass die aus dem Gehäuse nach außen geführten Außenkontakte des elektronischen Bauteils als flache Außenkontaktflächen ausgebildet sind. Diese Außenkontaktflächen können ggf. zusätzlich mit einer lötbaren Schicht versehen sein. Diese kompakte Bauweise ermöglicht die Verwendung des elektronischen Bauteils als sogenanntes leadless Bauelement, das im Vergleich zu bekannten herkömmlichen Bauelementen bei gleicher Fläche auf der Leiterplatte eine deutlich höhere Zahl von Anschlüssen aufweisen kann. Bei gleicher Anzahl von Anschlüssen kann zudem eine deutlich kleinere Bauteilgröße realisiert werden, wobei gleichzeitig eine geringere Bauhöhe der elektronischen Bauteile erzielt werden kann. Speziell bei Hochfrequenzanwendungen ergeben sich Vorteile durch die kurzen Signalwege und die kompakte Bauweise der Bauelemente. Die gute Anbindung der Bauelemente zur Leiterplatte und die kleinen Bauteilabmessungen wirken sich günstig auf die mechanische Belastbarkeit des Bauelements sowie seiner Befestigungen auf der Leiterplatte aus.An embodiment of the invention provides that thethe housing external contacts of the electronithe component as a flat external contact surfacesare. These external contact areas can also be used if necessary be provided with a solderable layer. This compact designenables the use of the electronic component as suchcalled leadless component, which compared to knownconventional components with the same area on the Leiterplatte have a significantly higher number of connectionscan. With the same number of connections, one cansignificantly smaller component size can be realized, wherebyat the same time a lower overall height of electronic constructionparts can be achieved. Especially for high frequency applicationsadvantages result from the short signal paths and thecompact design of the components. The good connection of theComponents for the circuit board and the small component dimensionsconditions have a favorable effect on the mechanical resilience of theComponent and its fastenings on the circuit boardout.
Eine alternative Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass die aus dem Gehäuse nach außen geführten Außenkontakte der Umverdrahtungsstruktur mit Kontakthöckern zur Flipchip-Montage des elektronischen Bauteils versehen sind. Die bekannte und weitverbreitete Flipchip-Montagetechnik ermöglicht es, das erfindungsgemäße elektronische Bauteil sehr universell einzusetzen.An alternative embodiment of the invention providesthat the external contacts led out of the housingthe rewiring structure with bumps for flipchipAssembly of the electronic component are provided. The beknown and widespread flipchip mounting technologyit, the electronic component according to the invention very univeruse sell.
Als Halbleiterbauelement des erfindungsgemäßen elektronischen Bauteils kommen entweder einzelne Bauelemente, wie beispielsweise Transistoren, Dioden oder Feldeffekttransistoren in Fragen. Ebenso kann das Halbleiterbauelement jedoch ein integrierter Halbleiterchip mit einer Vielzahl von Halbleiterschaltungen sein. Sowohl bei der Verwendung von einzelnen Halbleiterbauelementen wie auch von integrierten Halbleiterchips können äußerst kompakte und vielseitig anwendbare elektronische Bauteile realisiert werden.As a semiconductor component of the electronicComponent come either individual components, such asas transistors, diodes or field effect transistors inAsk. However, the semiconductor component can also be an integerGried semiconductor chip with a variety of semiconductorsbe circuits. Both when using singleSemiconductor components as well as integrated semiconductorschips can be extremely compact and versatiletronic components can be realized.
Ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils gemäß wenigstens einer der zuvor beschriebenen Ausführungsformen mit wenigstens einem Halblei terbauelement, das eine aktive Vorderseite mit Halbleiterstrukturen und Kontaktanschlüssen und eine passive Rückseite ohne Halbleiterstrukturen aufweist, umfasst zumindest die folgenden Verfahrensschritte:
A method according to the invention for producing an electronic component according to at least one of the previously described embodiments with at least one semiconductor component which has an active front side with semiconductor structures and contact connections and a passive rear side without semiconductor structures, comprises at least the following method steps:
Dieses erfindungsgemäße Verfahren mit dem in mehreren aufeinanderfolgenden Schritten aufgebrachten Umverdrahtungsaufbau hat insbesondere den Vorteil eines sehr kompakten Aufbaus. Die dreidimensionale Umverdrahtungsstruktur, welche leitende Verbindungen zwischen dem elektronischen Halbleiterbauelement und Außenkontakten des elektronischen Bauteils herstellt, führt insgesamt zu einem wesentlich kompakteren Bauteil als dies bei einem elektronischen Bauteil mit separater Umverdrahtungsplatte oder -folie der Fall wäre.This method according to the invention in accordance with the in severalsubsequent steps applied rewiring structurehas the particular advantage of a very compact design.The three-dimensional rewiring structure, which is conductiveConnections between the electronic semiconductor deviceand produces external contacts of the electronic component, leads to a much more compact component thanthis with an electronic component with a separate converterwire plate or foil would be the case.
Eine spezielle Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens sieht die folgenden Verfahrensschritte vor:
Nach dem Bereitstellen des metallischen Trägersubstrats wird eine erste Fotofilmschicht auf der ersten Oberfläche der Trägersubstrats aufgebracht. Danach wird die erste Fotofilmschicht belichtet, wobei die abgebildeten Leitungsstrukturen entfernt werden und erste entwickelte Bereiche entstehen. Diese ersten entwickelten Bereiche werden mit einer ersten leitenden Schicht, die bspw. aus Metall sein kann, aufgefüllt, wonach die Verfahrensschritte für eine zweite Fotofilmschicht wiederholt und zweiten entwickelten Bereiche der zweiten Fotofilmschicht mit einer zweiten leitenden Schicht aufgefüllt werden.The following method steps provide a special embodiment of the method according to the invention:
After the provision of the metallic carrier substrate, a first photo film layer is applied to the first surface of the carrier substrate. The first photo film is then exposed, the line structures shown being removed and the first developed areas being created. These first developed areas are filled with a first conductive layer, which can be made of metal, for example, after which the process steps are repeated for a second photo film layer and second developed areas of the second photo film layer are filled with a second conductive layer.
Diese Verfahrensschritte können für n-te Fotofilmschichten und n-te leitende Schichten mehrmals wiederholt werden. Schließlich wird die erste bis n-te Fotofilmschicht entfernt, wodurch eine dreidimensionale Umverdrahtungsstruktur aus den leitenden Schichten entsteht. Zwischen den Kontaktanschlüssen des Halbleiterbauelements und den Kontaktflächen der Umverdrahtungsstruktur werden Drahtbondverbindungen hergestellt. Danach erfolgt das Aufbringen eines Kunststoffgehäuse um das Halbleiterbauelement und die Umverdrahtungsstruktur und das Entfernen des Trägersubstrats, wodurch Außenkontakte des elektronischen Bauteils freigelegt werden.These process steps can be used for nth photo film layersand nth conductive layers are repeated several times.Finally, the first to nth photo film layers are removed,whereby a three-dimensional rewiring structure from theconductive layers. Between the contact connectionsof the semiconductor component and the contact areas of the Umverwire structure, wire bond connections are made.Then a plastic housing is applied around theSemiconductor device and the rewiring structure and thatRemoving the carrier substrate, causing external contacts of theelectronic component are exposed.
Dieses erfindungsgemäße Verfahren weist den Vorteil auf, das durch n aufeinanderfolgende Belichtungs- und Beschichtungsschritte annähernd beliebig viele leitende Schichten aufeinander aufgebaut werden können, die zu einer hoch komplexen dreidimensional elektrisch leitenden Umverdrahtungsstruktur führen. Auf diese Weise und mit diesem Verfahren sind somit hoch komplexe und dabei äußerst kompakte elektronische Bauteile mit Halbleiterbauelementen realisierbar.This method according to the invention has the advantage thatthrough n successive exposure and coatingsteps on almost any number of conductive layersother can be built up to a highly complexthree-dimensional electrically conductive rewiring structureto lead. In this way and with this procedure are thus highly complex and extremely compact electronic constructionparts can be realized with semiconductor components.
Eine alternative Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens unterscheidet sich vom zuvor beschriebenen Verfahren dadurch, dass nur eine, dafür etwas dickere Fotofilmschicht in mehreren Schichten mit mehreren Masken belichtet wird, womit in der Fotofilmschicht dreidimensionale Leitungsstrukturen abgebildet werden. Es folgt danach die Entwicklung der gesamten Fotofilmschicht, wobei die abgebildeten dreidimensionalen Leitungsstrukturen entfernt werden und das Auffüllen der entwickelten Bereiche mit einer elektronisch leitenden Schicht erfolgt. Anschließend wird die Fotofilmschicht entfernt, wodurch eine dreidimensionale Umverdrahtungsstruktur aus den elektrisch leitenden Schichten entsteht. Die weiteren Verfahrensschritte entsprechen denen des bereits zuvor beschriebenen Herstellungsverfahren. Hierbei wird eine einzige etwas dickere Fotofilmschicht auf dem Trägersubstrat aufgebracht, die durch Variation der Belichtung in eine dreidimensionale Struktur umgebildet wird, welche nach der Entwicklung mit Metall oder anderem geeigneten elektrisch leitenden Material aufgefüllt wird. Die Belichtung kann ggf. durch schichtweises Laserbelichten mit unterschiedlichen Fokustiefen erfolgen.An alternative embodiment of the Verdriving differs from the previously described procedurein that only one, but somewhat thicker photo film layerexposed in multiple layers with multiple masks wherewith three-dimensional line structure in the photo film layerbe mapped. This is followed by the development of theentire photo film layer, the three dimensions shownsional line structures are removed and fillingof the developed areas with an electronically conductiveLayer takes place. The photo film layer is then removedremotely, creating a three-dimensional rewiring structurearises from the electrically conductive layers. The othersProcess steps correspond to those of the bemanufacturing process. This is a singlesomewhat thicker photo film layer applied to the carrier substratebrings that by varying the exposure into a three-dimenssional structure is transformed, which after developmentwith metal or other suitable electrically conductive material is filled up. The exposure can possibly be through layerwise laser exposure with different depths of focusconsequences.
Das Auffüllen mit den elektrisch leitenden Schichten kann beispielsweise durch Pastendruck, auf galvanischem oder chemischen Wege oder beispielsweise durch Sputtern oder Aufdampfen erfolgen. Mit diesem Verfahren können in vorteilhafterweise auf sehr schnellem und einfachen Wege komplexe dreidimensionale Umverdrahtungsstrukturen in elektronischen Bauteilen erzeugt werden. Das Auffüllen kann auch mit flüssigem Material erfolgen, wonach die Aushärtung erfolgt.The filling with the electrically conductive layers canfor example by paste printing, on galvanic or chemix paths or for example by sputtering or vapor depositionfen. Using this method can be more advantageouswise complex dreidi in a very quick and easy wayDimensional rewiring structures in electronic componentslen are generated. The filling can also be done with liquid Mamaterial, after which the curing takes place.
Ein weiteres alternatives erfindungsgemäßes Verfahren sieht das zusätzliche Beschichten der verbliebenen Kanten der einzigen Fotofilmschicht nach dem Entwickeln mit einer elek trisch leitenden Beschichtung vor. Danach erst werden die entwickelten Bereiche mit einer ersten elektrisch leitenden Schicht aufgefüllt, wonach die Fotofilmschicht entfernt wird. Dieses Verfahren hat den Vorteil, dass die Ausbildung der dreidimensionalen Struktur erleichtert wird, indem die entwickelten Flanken vorher mit einem Metallbeschichtung oder einer anderen leitfähigen Schicht überzogen werden. Dieser Überzug kann ebenfalls beispielsweise durch Sputtern oder Aufdampfen aufgebracht werden.Another alternative method according to the invention providesthe additional coating of the remaining edges of the onezigen photo film layer after developing with an elec trically conductive coating. Only then will thedeveloped areas with a first electrically conductiveLayer filled, after which the photo film layer is removed.This procedure has the advantage that the training ofthree-dimensional structure is facilitated by the entpreviously wrapped flanks with a metal coating orcovered with another conductive layer. ThisCoating can also be done, for example, by sputtering orEvaporation can be applied.
Anschließend an die zuvor beschriebenen alternativen Verfahrensschritte werden die Drahtbondverbindungen zwischen den Kontaktanschlüssen des Halbleiterbauelements und den Kontaktflächen der Umverdrahtungsstrukturen hergestellt und ein Kunststoffgehäuse um das Halbleiterbauelement und die Umverdrahtungsstruktur aufgebracht. Abschließend wird das Trägersubstrat entfernt, wodurch die Außenkontakte des elektronischen Bauteils freigelegt werden.Following the alternative procedure described aboveThe wire bond connections between theContact connections of the semiconductor device and the contactsurfaces of the rewiring structures produced and aPlastic housing around the semiconductor device and the Umverapplied wire structure. In conclusion, the carrierRemoved substrate, which causes the external contacts of the electronicsthe component.
Als metallisches Trägersubstrat kommt beispielsweise Kupfer in Frage, das gute thermische und elektrische Eigenschaften aufweist und sich nach der Fertigstellung der Gehäuseummantelung auf einfachem Weg mittels Ätzen oder Schleifen vom elektronischen Bauteil entfernen läßt, wodurch die aus dem Kunststoffgehäuse führenden Außenkontakte des elektronischen Bauteils freigelegt werden.Copper, for example, is used as the metallic carrier substratein question, the good thermal and electrical propertiesexhibits and after the completion of the housingthe easy way by etching or grinding the electronic component can be removed, which means that from the artouter housing contacts of electronic constructionpartly exposed.
Als elektrisch leitende Schicht der Umverdrahtungsstruktur kommen gut leitende Metalle wie beispielsweise Aluminium, Nickel, Palladium, Gold Silber oder Kupfer in Frage, die jeweils gute elektrische Eigenschaften aufweisen. Zudem lassen sich diese Metalle auf einfachem Weg durch Sputtern, Aufdampfen oder auf sonstige Weise auftragen. Aus den gleichen Metallen kann auch die elektrisch leitende Beschichtung der Kanten der entwickelten Fotofilmschicht bestehen. Auch flüssige, leitfähige Kunststoffe, welche ausgehärtet werden kön nen, sind vorstellbar und die dreidimensionalen Kanäle aufzufüllen.As an electrically conductive layer of the rewiring structurecome good conductive metals such as aluminum,Nickel, palladium, gold, silver or copper in question, eachbecause they have good electrical properties. Also leavethese metals easily by sputtering, vapor depositionor apply in any other way. From the same meThe electrically conductive coating of theEdges of the developed photo film layer exist. Also riverssig, conductive plastics, which can be hardened conceivable and the three-dimensional channels opento fill.
Das Gehäuse des elektronischen Bauteils kann in vorteilhafter Weise aus Kunststoff mittels Transfermolding hergestellt werden. Dieses Verfahren hat den Vorteil einer einfachen und kostengünstigen Herstellbarkeit. Zudem werden dabei die Drahtbondverbindungen geschont und vor dem Abreißen geschützt. Ebenso kann die gesamte entstandene Struktur inklusive Halbleiterbauelement bzw. Halbleiterchip und Bonddrähten mit handelsüblicher Pressmasse bzw. Globetop oder Ähnlichem umpresst werden.The housing of the electronic component can be advantageousWay made of plastic by means of transfer moldingthe. This method has the advantage of a simple and knockoutmost economical manufacturability. In addition, the wireProtected bond connections and protected from tearing.Likewise, the entire structure including half can be createdconductor component or semiconductor chip and bond wires with hanconventional molding compound or globetop or the likebecome.
Die Erfindung wird nun anhand von Ausführungsformen mit Bezug auf die beiliegenden Figuren näher erläutert.The invention will now be described with reference to embodimentsexplained in more detail on the accompanying figures.
Fig. 1 zeigt eine schematische Schnittansicht eines erfindungsgemäßen elektronischen Bauteils.Fig. 1 shows a schematic sectional view of an electronic component according to the invention.
DieFig. 2 bis 8 zeigen jeweils in schematischen Schnittdarstellungen aufeinanderfolgende Verfahrensschritte einer ersten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung eines elektronischen Bauteils.TheFigs. 2 to 8 show in schematic sectional views of successive Verfahrensschrit te a first variant of the invention Ver proceedings of manufacturing an electronic part construction.
DieFig. 9 bis 15 zeigen jeweils in schematischen Schnittdarstellungen aufeinanderfolgende Verfahrensschritte einer alternativen Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung des elektronischen Bauteils.FIGS. 9 to 15 each show in schematic sectional views of successive Verfahrensschrit te an alternative variant of the inventive SEN method for manufacturing the electronic component.
Fig. 1 zeigt ein erfindungsgemäßes elektronisches Bauteil in einer schematischen Schnittansicht nach seiner Fertigstellung. Ein Halbleiterbauelement2 ist mit einer passiven bzw. aktiven Rückseite22 ohne Halbleiterstrukturen auf einem Auflagesockel14 aufgesetzt, der Bestandteil einer elektrisch leitenden Umverdrahtungsstruktur30 ist. Die dem Auflagesockel14 abgewandte aktive Vorderseite21 des Halbleiterbauelements2 weist - hier nicht dargestellte - Kontaktanschlüsse auf, die über Bondverbindungen23 und eine Mehrzahl von Bonddrähten12, von denen aus Gründen der Übersichtlichkeit nur einer dargestellt ist, mit Kontaktflächen16 der Umverdrahtungsstruktur30 verbunden sind.Fig. 1 shows an electronic component according to the invention in a schematic sectional view after its completion. A semiconductor component2 is placed with a passive or active rear side22 without semiconductor structures on a support base14 which is part of an electrically conductive rewiring structure30 . The Auflagesoc kel14 facing away from the active front21 of the semiconductor component2 has - not shown here - contact connections, the wires via bond connections23 and a plurality of bond wires12 , of which only one is shown for reasons of clarity, with contact surfaces16 of the redirection tion structure30 are connected.
Die Umverdrahtungsstruktur30 besteht aus einer Anzahl von übereinander angeordneten und miteinander verbundenen elektrisch leitenden Schichten, die im fertigen Zustand eine dreidimensionale Struktur bilden. Das Halbleiterbauelement2, seine Bondverbindungen12,23 und die Umverdrahtungsstruktur30 sind eingebettet in ein Gehäuse10 aus Kunststoff oder Pressmasse, aus dem lediglich Außenkontakte8 der Umverdrahtungsstruktur30 nach außen geführt sind. Diese Außenkontakte8 sind im gezeigten Ausführungsbeispiel jeweils mit Kontakthöckern6 zur Flipchip-Montage versehen, können aber auch als flache Außenkontakte (leadless) bestehen bleiben. Das Halbleiterbauelement2 kann ein einzelnes Bauteil wie bspw. eine Diode, ein Transistor oder Thyristor oder auch ein integrierter Halbleiterchip mit komplexeren Strukturen sein.The rewiring structure30 consists of a number of stacked and interconnected electrically conductive layers that form a three-dimensional structure in the finished state. The semiconductor component2 , its bond connections12 ,23 and the redistribution structure30 are embedded in a housing10 made of plastic or molding compound, from which only external contacts8 of the redistribution line structure30 are guided to the outside. In the exemplary embodiment shown, these external contacts8 are each provided with contact bumps6 for flip-chip assembly, but can also remain as flat external contacts (leadless). The semiconductor component2 can be a single component such as a diode, a transistor or thyristor or an integrated semiconductor chip with more complex structures.
Nachfolgend wird anhand derFig. 2 bis 8 eine erste Variante des Verfahrens zur Herstellung eines erfindungsgemäßen elektronischen Bauteils beschrieben. Gleiche Teile sind dabei grundsätzlich mit gleichen Bezugszeichen versehen.A first variant of the method for producing an electronic component according to the invention is described below with reference toFIGS. 2 to 8. The same parts are always provided with the same reference numerals.
Fig. 2 zeigt ein flaches metallisches Trägersubstrat4, beispielsweise aus Kupfer, das mit einer Fotofilmschicht40 überzogen ist. Die Beschichtung des Trägersubstrats4 mit der Fotofilmschicht40 stellt gleichzeitig den ersten Verfahrensschritt zur Herstellung des erfindungsgemäßen elektronischen Bauteils dar. Das Trägersubstrat4 entspricht von seiner Grundfläche her vorzugsweise den Abmessungen des Gehäuses10.Fig. 2 shows a flat metallic carrier substrate4 , for example made of copper, which is coated with a photo film layer40 . The coating of the carrier substrate4 with the photo film layer40 simultaneously represents the first method step for producing the electronic component according to the invention. The base surface of the carrier substrate4 preferably corresponds to the dimensions of the housing10 .
Fig. 3 zeigt in einer schematischen Schnittansicht einen weiteren Verfahrensschritt, bei dem die Fotofilmschicht teilweise belichtet, die belichteten Bereich entwickelt und die entwickelten Bereiche50 aus der Fotofilmschicht40 entfernt wurden. Die entwickelten Bereiche50 werden anschließend mit einer elektrisch leitenden Schicht aufgefüllt (Fig. 4), wodurch die elektrisch leitende Umverdrahtungsstruktur30 gebildet wird. Nach dem Entfernen der Fotofilmschicht40 verbleibt die dreidimensionale Umverdrahtungsstruktur30 bestehen, die mit ihren später freigelegten Außenkontakten8 auf dem Trägersubstrat4 aufliegt (vgl.Fig. 5).FIG. 3 shows a schematic sectional view of a further process step in which the photo film layer is partially exposed, the exposed area developed and the developed areas50 removed from the photo film layer40 . The developed areas50 are then filled with an electrically conductive layer (FIG. 4), where ge is formed by the electrically conductive rewiring structure30 . After the removal of the photo film layer40 , the three-dimensional rewiring structure30 remains, which rests on the carrier substrate4 with its later exposed external contacts8 (cf.FIG. 5).
Im nächsten Verfahrensschritt wird das Halbleiterbauelement2 mit seiner passiven bzw. aktiven Rückseite22 auf einem Auflagesockel14 der Umverdrahtungsstruktur30 aufgesetzt und gebondet (sog. die bond), wonach seine Kontaktanschlüsse auf der aktiven Vorderseite21 über Bondverbindungen23 und Bonddrähte12 mit Kontaktflächen16 der Umverdrahtungsstruktur30 verbunden werden. Dieser Verfahrensschritt wird anhand derFig. 6 verdeutlicht. In derFig. 7 ist in einer schematischen Schnittansicht ein darauffolgender Verfahrensschritt verdeutlicht, bei dem die Umverdrahtungsstruktur30 und das Halbleiterbauelement2 von einem Gehäuse10 umgeben wird. Das Gehäuse10 wird dabei vorzugsweise mittels Verpressen bzw. Transfermolding oder ähnlicher Technik aufgebracht. Das Gehäuse10 kann zudem mit Faser oder dgl. verstärkt sein.In the next process step, the semiconductor component2 with its passive or active rear side22 is placed on a base14 of the rewiring structure30 and bonded (so-called the bond), after which its contact connections on the active front side21 via bond connections23 and bond wires12 with contact areas16 of the rewiring structure30 are connected. This process step is illustrated inFIG. 6. InFig. 7, a subsequent process step is illustrated in a schematic sectional view, in which the rewiring structure30 and the semiconductor component2 is surrounded by a housing10 . The Gehäu se10 is preferably applied by pressing or Trans fermolding or similar technology. The housing10 can also be reinforced with fiber or the like.
Schließlich wird in einem letzten Verfahrensschritt, der anhand derFig. 8 verdeutlicht wird, das metallische Trägersubstrat4 entfernt, beispielsweise durch Ätzen. Das auf diese Weise entstehende elektronische Bauteil mit seinen nach außen geführten Außenkontakten8 kann bereits in diesem Zustand zum Einsatz kommen. Gegebenenfalls können auf die Außenkontakte8 zusätzliche Kontakthöcker6 aufgebracht werden (vgl.Fig. 1) bzw. mit einer zusätzlichen lötbaren Schicht versehen werden, wodurch ein elektronisches Bauteil zur Flipchip-Montage entsteht.Finally, in a last process step, which is illustrated inFIG. 8, the metallic substrate4 is removed, for example by etching. The electronic component created in this way, with its external contacts8 leading to the outside, can already be used in this state. If necessary, additional contact bumps6 can be applied to the external contacts8 (cf.FIG. 1) or provided with an additional solderable layer, which results in an electronic component for flip-chip assembly.
Die Flanken der entwickelten Bereiche50 können vor dem Auffüllen mit der elektrisch leitenden Schicht (vgl.Fig. 4) mit einer elektrisch leitenden Beschichtung18 bedampft oder ge sputtert werden, was die Ausbildung der dreidimensionalen Umverdrahtungsstruktur30 beim Auffüllen der entwickelten Bereiche50 erleichtert. Dies hat insbesondere Vorteile beim galvanischen Aufbau der Struktur30.The flanks of the developed areas50 can be steamed or sputtered with an electrically conductive coating18 prior to filling with the electrically conductive layer (seeFIG. 4), which results in the formation of the three-dimensional wiring structure30 when filling the developed areas50 facilitated. This has particular advantages in the galvanic structure of structure30 .
Das Auffüllen kann mit flüssigem, leitenden Material erfolgen, welches ausgehärtet werden kann. Anschließend wird der Lack entfernt. Alternativ kann der Lack auch als umhüllende Schicht um die Umverdrahtung dienen.The filling can be done with liquid, conductive materialgene, which can be cured. Then thePaint removed. Alternatively, the lacquer can also be used as an envelopingServe layer around the rewiring.
Nachfolgend wird anhand derFig. 9 bis 15 eine alternative Variante des Verfahrens zur Herstellung eines erfindungsgemäßen elektronischen Bauteils beschrieben. Gleiche Teile wie in den zuvor beschriebenen Figuren sind dabei grundsätzlich mit gleichen Bezugszeichen versehen und werden daher teilweise nicht mehrfach erläutert.An alternative variant of the method for producing an electronic component according to the invention is described below with reference to FIGS. 9 to 15. The same parts as in the previously described figures are basically provided with the same reference numerals and are therefore sometimes not explained several times.
Fig. 9 zeigt einen ersten Verfahrensschritt eines alternativen Verfahrens zur Herstellung eines erfindungsgemäßen elektronisch Bauteils, bei dem auf das metallische Trägersubstrat4 eine erste Fotofilmschicht41 aufgebracht wird, die teilweise belichtet wird. Die belichteten Bereiche werden entwickelt und die ersten entwickelten Bereiche51 werden anschließend entfernt und mit einer ersten leitenden Schicht31, bspw. aus Metall wie Aluminium oder Kupfer, aufgefüllt (vgl.Fig. 10). Anschließend wird eine zweite Fotofilmschicht42 aufgebracht, wiederum entwickelt und die zweiten entwickelten Bereiche52 entfernt (vgl.Fig. 11). Die zweiten entwickelten Bereiche52 der zweiten Fotofilmschicht42 werden anschließend mit einer zweiten leitenden Schicht32 aufgefüllt (vgl.Fig. 12).Fig. 9 shows a first method step of an alternative method for producing an electronic component according to the invention, in which a first photo film layer41 is applied to the metallic carrier substrate4 , which is partially exposed. The exposed areas are developed and the first developed areas51 are subsequently removed and filled with a first conductive layer31 , for example made of metal such as aluminum or copper (cf.FIG. 10). A second photo film layer42 is then applied, developed again and the second developed areas52 removed (cf.FIG. 11). The second developed areas52 of the second photo film layer42 are then filled with a second conductive layer32 (seeFIG. 12).
InFig. 13 ist ein weiterer Verfahrensschritt gezeigt, bei dem eine dritte Fotofilmschicht43 auf die zweite Fotofilmschicht42 und die zweite leitenden Schicht32 aufgebracht und teilweise belichtet und entwickelt wird. Die dritten entwickelten Bereiche53 in der dritte Fotofilmschicht43 werden wiederum mit einer dritten leitenden Schicht33 aufgefüllt (vgl.Fig. 14). Diese Schritte können bei Bedarf beliebig oft wiederholt werden. Unebenheiten der einzelnen elektrisch leitenden Schichten31,32,33, die ggf. aus Metall bestehen können, können vor der darauffolgenden Beschichtung mit der Fotofilmschicht durch mechanische Schritte verringert bzw. entfernt werden. Diese mechanische Bearbeitung kann beispielsweise in einem Schleifen bestehen.InFig. 13, a further process step is shown in which a third photo film layer43 layer on the second photo film42 and the second conductive layer32 is applied and partly exposed and is developed. The third developed areas53 in the third photo film layer43 are again filled with a third conductive layer33 (seeFIG. 14). These steps can be repeated as often as required. Unevenness of the individual electrically conductive layers31 ,32 ,33 , which may possibly consist of metal, can be reduced or removed by mechanical steps before the subsequent coating with the photo film layer. This mechanical processing can consist of grinding, for example.
Fig. 15 zeigt in einer schematischen Schnittansicht eine Umverdrahtungsstruktur30, bestehend aus den elektrisch leitenden Schichten31,32 und33, nachdem die umgebenden Fotofilmschichten41,42,43 entfernt wurden. Der weitere Verfahrensablauf zur Herstellung des erfindungsgemäßen elektronischen Bauteils entspricht dem der zuvor beschriebenen Variante, bei der anschließend das Halbleiterbauelement2 auf einem Auflagensockel14 der Umverdrahtungsstruktur30 aufgesetzt und über Bonddrähte12 mit der Umverdrahtungsstruktur30 verbunden wird. Abschließend wird wieder das Trägersubstrat4 entfernt, wodurch die Außenkontakte8 des elektronischen Bauteils freigelegt werden. Zuvor wird das elektronische Bauteil mit einem Gehäuse10 umgeben. Bei Bedarf können die Außenkontakte8 mit Kontakthöckern6 und/oder mit einer lötbaren Zusatzschicht versehen sein, wie dies inFig. 1 dargestellt ist.Fig. 15 shows a schematic sectional view of an order wiring structure30 consisting of the electrically conductive layers31 ,32 and33 after the surrounding photo film layers41 ,42 ,43 have been removed. The further process for producing the electronic component according to the invention corresponds to that of the variant described above, in which the semiconductor component2 is then placed on a support base14 of the rewiring structure30 and is connected to the rewiring structure30 via bonding wires12 . Finally, the carrier substrate4 is removed again, whereby the external contacts8 of the electronic construction are partially exposed. The electronic component is previously surrounded by a housing10 . If necessary, the outer contacts8 can be provided with contact bumps6 and / or with a solderable layer, as shown inFIG. 1.
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| DE10134979ADE10134979A1 (en) | 2001-07-24 | 2001-07-24 | Integrated semiconductor chip having an active front side with semiconductor structures and contact connections and a passive/active rear side with/without semiconductor structures |
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| DE10134979A1true DE10134979A1 (en) | 2002-10-17 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5703405A (en)* | 1993-03-15 | 1997-12-30 | Motorola, Inc. | Integrated circuit chip formed from processing two opposing surfaces of a wafer |
| US5909053A (en)* | 1992-12-23 | 1999-06-01 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Lead frame and method for manufacturing same |
| US6025640A (en)* | 1997-07-16 | 2000-02-15 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Resin-sealed semiconductor device, circuit member for use therein and method of manufacturing resin-sealed semiconductor device |
| EP1018762A2 (en)* | 1998-10-16 | 2000-07-12 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Semiconductor device and fabrication method thereof |
| US6150709A (en)* | 1996-06-21 | 2000-11-21 | Anam Semiconductor Inc. | Grid array type lead frame having lead ends in different planes |
| US6184053B1 (en)* | 1993-11-16 | 2001-02-06 | Formfactor, Inc. | Method of making microelectronic spring contact elements |
| US6208020B1 (en)* | 1999-02-24 | 2001-03-27 | Matsushita Electronics Corporation | Leadframe for use in manufacturing a resin-molded semiconductor device |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5909053A (en)* | 1992-12-23 | 1999-06-01 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Lead frame and method for manufacturing same |
| US5703405A (en)* | 1993-03-15 | 1997-12-30 | Motorola, Inc. | Integrated circuit chip formed from processing two opposing surfaces of a wafer |
| US6184053B1 (en)* | 1993-11-16 | 2001-02-06 | Formfactor, Inc. | Method of making microelectronic spring contact elements |
| US6150709A (en)* | 1996-06-21 | 2000-11-21 | Anam Semiconductor Inc. | Grid array type lead frame having lead ends in different planes |
| US6025640A (en)* | 1997-07-16 | 2000-02-15 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Resin-sealed semiconductor device, circuit member for use therein and method of manufacturing resin-sealed semiconductor device |
| EP1018762A2 (en)* | 1998-10-16 | 2000-07-12 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Semiconductor device and fabrication method thereof |
| US6208020B1 (en)* | 1999-02-24 | 2001-03-27 | Matsushita Electronics Corporation | Leadframe for use in manufacturing a resin-molded semiconductor device |
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
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| DE102006037538B4 (en) | Electronic component, electronic component stack and method for their production and use of a bead placement machine for carrying out a method for producing an electronic component or component stack | |
| DE102007017831B4 (en) | Semiconductor module and a method for producing a semiconductor module | |
| DE10045043B4 (en) | Semiconductor component and method for its production | |
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