CN102352492A - 一种带冷却系统的气体注入装置 - Google Patents
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Abstract
Description
技术领域
本发明涉及将气体注入反应腔技术领域，尤其涉及一种带冷却系统并将气体注入反应腔后混合的装置。
背景技术
目前，已有多种反应腔应用于半导体器件、平板、太阳能电池等的制造，例如：化学气相沉淀(CVD)、等离子体增强化学气相沉淀(PECVD)，金属有机化合物化学气相沉淀(MOCVD)、汽相外延生长(VPE)等。在实际应用中，反应气体在进入反应腔前不能混合，因此人们提出各种各样的喷淋头设计来保证反应气体在进入反应腔前保持相互隔离。此外，有效地对喷淋头进行冷却对反应效果也有很好的帮助，在很多应用中采用包括水在内的流体进行冷却，相关设计可参见美国专利5,871,586和美国公开专利申请文件2010/0170438和2011/0052833。
然而，现有技术设计非常复杂，且制作费用昂贵，由于反应气体在进入反应腔前需要保持相对独立，这就要求喷淋头有多个层板和复杂的管路设计，此外，冷却系统必须能有效地阻止上升的温度以防止造成任何渗漏，这导致了喷淋头设计的复杂和制造成本的增加，因此，在满足反应气体相对独立且有冷却系统的前提下，需要设计一种简单且制造成本较低的喷淋头。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供一种带冷却系统的气体注入装置。
本发明的目的是这样实现的，一种带冷却系统的气体注入装置，分别输送第一气体和第二气体到反应腔中，该气体注入装置，包括：
一上层板和一下层板，所述的上层板带有一组复数个具有第一直径的孔，
所述的下层板带有与所述上层板的小孔相对应的第二组复数个孔，所述的第一组复数个孔的每个小孔和第二组复数个孔的每个小孔位置相对应；
所述的下层板还带有第三组复数个孔，所述的第二组复数个孔和第三组复数个孔随着小孔深度的变化直径发生变化，使得每个小孔的气体进入口直径大于气体输出口直径；
所述的第一组复数个孔和第二组复数个孔内插入并固定一组复数个导管，所述复数个导管分别与所述两组复数个孔密封的连接。
所述的导管插入下层板内并穿过下层板一部分。
所述第二组复数个孔气体进入口直径为第一直径。
所述复数个导管与所述第一组复数个孔和所述第二组复数个孔密封的连接。
所述的下层板还包括第三组复数个孔，所述的第三组复数个孔内插入第二组导管。
所述的下层板还包括冷却渠道和密封环，所述的密封环固定到下层板并密封冷却渠道。
本发明还包括了一个带有气体注入装置的反应腔，其特征在于：所述的反应腔包括一顶壁，一侧壁和一底壁；
一个基座正对所述顶壁设置，基座与顶壁之间的区域为加工区域；
所述顶壁下设置一气体注入装置，所述的气体注入装置包括：一上层板安装在顶壁下，与顶壁形成第一气体隔离区，所述的上层板上设置第一组复数个孔；
一下层板下表面暴露于加工区，上表面面对所述的上层板，下层板与所述上层板形成第二气体隔离区，所述下层板设置第二组复数个孔与所述上层板第一组复数个孔的每个孔的位置相对应，所述下层板还设置第三组复数个孔用于将第二气体隔离区内的第二气体注入加工区内；
复数个导管，每个导管插入所述上层板的第一组孔的一个孔和位置相对应的第二组孔的一个孔，形成传递第一气体隔离区中的第一气体的通道，所述复数个导管和所述两组孔密封的连接。
所述的下层板包括一冷却渠道用以存放循环冷却液。
所述上层板的第一组复数个孔直径具有第一直径，所述的下层板的第二组复数个孔在所述下层板上表面直径为第一直径，在所述下层板的下表面直径为第二直径，所述第二直径小于第一直径。
所述下层板的第三组复数个孔在所述下层板下表面孔的直径和所述第二直径相匹配。
所述复数个导管密封的焊接到所述上层板和所述下层板。
本发明也提供一种制造所述气体注入装置的方法，包括：
制作一个上层板，在所述上层板上按照第一直径钻制第一组复数个孔；
制作一个下层板，在所述下层板上钻制第二组复数个孔，所述的第二组孔的每个小孔和所述第一组孔的每个小孔位置相对应
在所述下层板上钻制第三组复数个孔，所述第三组孔的每个孔从上表面开始按照第一直径钻制深度小于下层板厚度的进气孔，然后从下层板的下表面开始钻制第二直径的出气孔与从上表面开始钻制的进气孔连通，
将一组复数个导管插入并固定到所述上层板的第一组复数个孔和所述下层板的第二组复数个孔的进气口。所述的固定方法为焊接。
所述第二组复数个孔的进气孔钻制时在所述下层板上表面按照第一直径钻入一小于所述下层板厚度的深度，从所述下层板下表面按照第二直径钻制出气孔至与从上表面开始钻制的进气孔连通，所述的第一直径大于第二直径。
所述的下层板内设置一冷却渠道，所述的冷却渠道上设置一密封部件。
本发明还包括一种将两种气体独立的注入反应腔的气体注入装置，其特征在于：包括：
一带有第一组复数个孔的上层板，所述第一组复数个孔的直径为第一直径；
一包括上表面和下表面的下层板，所述下表面暴露于反应区中，所述上表面面对所述上层板，所述下层板设置有第二组复数个孔和第三组复数个孔，所述第二组复数个孔与所述上层板的第一组复数个孔位置相对应，一组导管插入所述第一组复数个孔和第二组复数个孔的部分深度，使所述导管不能到达所述下层板下表面，并且所述导管外壁和所述小孔内壁密封设置。
本发明所述的，结构简单，易于制作，只包括两个层板，上层板的第一组孔直径大于实际需要的直径，钻孔简单且价格低廉，下层板的两组孔设置为两种不同的直径，使得需要注入气体的小孔深度较浅，易于制作。导管与两层板进行焊接，保证两种气体在各自独立的空间内。冷却导管可以设置为冷却渠道加密封环的形式，也可以采用在下层板内部设置导管的形式。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
如下附图构成了本说明书的一部分，和说明书一起列举了不同的实施例，以解释和阐明本发明的宗旨。以下附图并没有描绘出具体实施例的所有技术特征，也没有描绘出部件的实际大小和真实比例。
图1示出带有一个本发明气体喷淋头实施例的反应腔结构示意图；
图2A示出本发明一个实施例的气体喷淋头截面示意图；可以与图1所示的反应腔配合一起使用
图2B为图2A所述实施例气体注入装置的上层板俯视图；
图2C-2D为图2A所述实施例气体注入装置的下层板俯视图和仰视图；
图3A-3D为另一实施例的气体注入装置的结构示意图；
图4A-4D为另一实施例的气体注入装置的结构示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供的气体喷淋头，制作简单，需要的部件减少，制作成本降低，总体来说，本发明的各实施例所述的喷淋头虽然仅包括两个层板，但能独立的注入反应气体，同时还能冷却下层板。
实施例1：如图1示出一包括带冷却系统的气体注入装置的反应腔，包括反应腔100，反应腔100上方设置一气体注入装置120也可称为气体喷淋头，图1示出的为气体喷淋头120的整体结构，细节的描述在其他图中示出。图1中，反应腔100包括一外壳105，外壳105通过真空泵110使反应腔100保持真空，基架111支撑一个或多个待加工的基板115，气体注入装置120用于将处理第一气体和处理第二气体注入反应腔100内，处理第一气体和处理第二气体在进入反应腔100前彼此要保持分离，进入反应腔100后混合并发生反应，从而对基板115提供所需的处理。
如图1所示，气体注入装置120包括下层板122和上层板125，下层板122与基板115相对，上层板125位于下层板122和外壳105顶壁107之间。这样，上层板125和顶壁107之间形成扩散区129，第一气体被输送到扩散区129内，通过导管127注入反应区117内，上层板125和下层板122形成扩散区123，第二气体被输送到扩散区123，通过导管124注入反应区117。冷却液，例如冷却水，被输送到冷却管道126中用以冷却气体注入装置120，一个水或者其他流体的冷却系统(图中未示出)与冷却管道126连接，用于对管道内的水或者其他流体进行冷却。
根据图1所示，气体注入装置120包括上层板125和下层板122，上层板制作简单，在一个平盘上设置一组复数个孔，能容第一组导管127穿过，导管127长度足以插入下层板122的小孔内。下层板122为在一个平盘上设置两组复数个孔，第一组复数个孔内插入导管127，第二组复数个孔内插入第二
组导管124，导管124长度短于导管127，图1中，导管124和导管127的直径相同，但是也可以设置为不同，下层板122另包括多个可以用多种结构的冷却渠道或者管道126。制造过程中，焊接材料可以用于导管或层板，也可都用。第一组导管127和第二组导管124各自插入对应的上下层板中的小孔后整个组件被加热，将两组导管和上下层板焊接在一起并使导管外壁与上下板的小孔内壁密封。
根据图1示出的实施例，气体注入装置120能将第一气体和第二气体单独容纳和传送，只有当第一气体和第二气体进入反应区域117后才能发生混合，完成基板处理所需的化学反应。能量释放器如等离子体、加热灯等可以提供引发两种气体进行化学反应的必要能量。
图1显示反应气体和冷却流体从多个地方注入，然而，容易理解的是，每种气体都是通过各自对应的一个输入口输入。冷却流体通过循环的进入冷却装置或热量传递装置能很好的达到冷却效果，因此，为了能保持气体注入装置120的稳定温度，要设置至少一个冷却流体入口和至少一个冷却流体出口，也可以用多个冷却流体入口和出口来实现温度的控制。
在很多应用中要求气体能从气体注入装置的多个直径很小的孔输出，然而，制作小直径圆孔的花费昂贵，有时甚至需要极为先进的钻孔技术，如激光钻孔，此类钻孔技术在制作的小孔具有高深宽比(深度比直径)和非常小的直径时很难达到要求。在本发明公开的技术方案中，小孔制作的复杂程度和花费成本都大大降低，详细设计见图2A-2D。
图2A示出本发明实施例中气体注入装置的横截面示意图，图2A所示的气体注入装置包括两个层板：下层板222和上层板225。图2B示出上层板225的俯视图，上层板225制作技术相对简单，在一个平盘上制作一组复数个孔221，小孔221的直径可以大于气体注入反应腔所需的直径。也就是小孔221不需要很小，而是可以根据制做简易的需要选择孔的直径。图2C示出下层板222的俯视图，下层板222包括两组复数个孔，一组和上层板225的小孔221的位置相对应，另一组复数个孔233用于将第二种气体注入反应腔内。在本实施例中，下层板222的两组复数个孔直径随孔深增加会发生一次变化，每个小孔的上表面的直径244大于下表面的直径246，下表面的小孔直径246见图2D所示的下层板222的仰视图。下表面小孔直径246能按照需要将两种气体注入反应腔。但是在制作时，不是在下层板222整个厚度上钻出精确的小直径的孔，而是直径大一点的小孔244从下层板222的上表面开始钻孔到一定深度，但未穿透下层板，直径小一点的小孔246从下层板222的下表面开始钻孔，穿透下层板到达小孔244下端，本实施例可从图2A中清楚地看出。
在本实施例中，冷却渠道设置在下层板222中，一个简单的制作方法为在下层板222的上表面切割出一组渠道，比如在下层板的上表面。然后焊接密封环228以密封渠道226，如图2A所示。
气体注入装置120在组装时，将长导管227插入上层板225第一组复数个孔221和下层板222第二组复数个孔231直径较大的一端，将短导管224插入下层板222第三组孔233直径较大的一端。由于下层板222的两组孔直径随孔深变化发生变化，两组导管均为到达下层板222的下表面，未暴露到入反应腔内表面。然后将整个气体注入装置120放入炉中加热以将导管227、224和密封环228与上下层板的接触面进行焊接。
图3A-3D示出本发明的另一个实施例，本实施例的原理与上述图2A-2D所述的实施例相同，除了采用3xx系列来编号外，部件也与上一个实施例中具有相应编号的部件类似。本实施例与上述实施例相比有两个不同：第一，密封环328设置在下层板322的下底面，这意味着冷却渠道是从下表面进行机械加工制得，当然，其他方式也可以用于制造冷却渠道，例如，如果下层板是用陶瓷材料烧制的，冷却渠道可以在陶瓷材料烧制前设置。
图3A-3D示出了一种在下层板322的第三组孔333内不插入导管的可能性。导管327仍插入上层板325第一组孔331，和下层板322第二组孔内322，第一气体通过导管327进入反应腔内，进入反应腔前不与第二气体混合。同样导管327部分的插入下层板322的第一组孔331内，未暴露在反应腔中，当反应腔中存在等离子体时，导管327不与等离子体接触。
在上述实施例中，通过采用密封环，使得冷却渠道设计简单，价格低廉。当然也可以采用将冷却渠道设置在下层板内部不用密封环的结构，采用该设计方案虽然会增加制作的复杂程度，但是从本质上杜绝了泄露的问题，如图4A-4D所示。本实施例部件标号和上述实施例相同，采用的是4xx系列，部件也与上一个实施例中具有相应编号的部件类似，4A-4D示出的实施例所述的技术方案和3A-3D示出的实施例的技术方案大致相同，区别在于本实施例的冷却管道426位于下层板内部。
本发明实施例所述的气体注入装置结构简单，易于制作，整个喷淋头结构只包括两个层板，上层板的第一组孔直径大于实际需要的直径，钻孔简单且价格低廉，下层板的两组孔设置为两种不同的直径，使得需要注入气体的小孔深度较浅，易于制作。导管与两层板进行焊接，保证两种气体在各自独立的空间内。冷却管道可以设置为冷却渠道加密封环的形式，也可以采用在下层板内部设置管道的形式。
本发明虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。
Claims (20)
1.一种带冷却系统的气体注入装置，分别输送第一气体和第二气体到反应腔中，该气体注入装置包括：
一上层板和一下层板，所述的上层板带有一组复数个具有第一直径的孔，
所述的下层板带有与所述上层板的小孔相对应的第二组复数个孔，所述的第一组复数个孔的每个小孔和第二组复数个孔的每个小孔位置相对应；
所述的下层板还带有第三组复数个孔，所述的第二组复数个孔和第三组复数个孔随着小孔深度的变化直径发生变化，使得每个小孔的气体进入口直径大于气体输出口直径；
所述的第一组复数个孔和第二组复数个孔内插入并固定一组复数个导管，所述复数个导管分别与所述两组复数个孔密封的连接。
2.根据权利要求1所述的一种带冷却系统的气体注入装置，其特征在于：所述第二组孔进气口直径为第一直径。
3.根据权利要求2所述的一种带冷却系统的气体注入装置，其特征在于：所述导管与所述第一组孔和所述第二组孔焊接密封。
4.根据权利要求3所述的一种带冷却系统的气体注入装置，其特征在于：所述的下层板还包括第三组复数个孔，所述的第三组复数个孔内插入第二组管道。
5.根据权利要求1所述的一种带冷却系统的气体注入装置，其特征在于：所述的下层板还包括冷却渠道。
6.根据权利要求5所述的一种带冷却系统的气体注入装置，其特征在于：还包括密封环固定到下层板以密封冷却渠道。
7.根据权利要求1所述的一种带冷却系统的气体注入装置，其特征在于：所述的一组复数个导管插入下层板内并穿过下层板一部分。
8.一个带有气体注入装置的反应腔，其特征在于：所述的反应腔包括一顶壁，一侧壁和一底壁；
一个基座正对所述顶壁设置，基座与顶壁之间的区域为加工区域；所述顶壁下设置一气体注入装置，所述的气体注入装置包括：一上层板安装在顶壁下，与顶壁形成第一气体隔离区，所述的上层板上设置第一组复数个孔；
一下层板下表面暴露于加工区，上表面面对所述的上层板，下层板与所述上层板形成第二气体隔离区，所述下层板设置第二组复数个孔与所述上层板第一组复数个孔的每个孔位置相对应，所述下层板还设置第三组复数个孔用于将第二气体隔离区内的第二气体注入加工区内；
复数个导管，每个导管插入所述上层板的第一组孔的一个孔和位置相对应的第二组孔的一个孔，形成传递第一气体隔离区中的第一气体的通道，所述复数个导管和所述两组孔密封的连接。
9.根据权利要求8所述的反应腔，其特征在于：所述的下层板包括一冷却渠道用以存放循环冷却液。
10.根据权利要求8所述的反应腔，其特征在于：所述的下层板的第二组孔的每个孔在所述下层板上表面直径为第一直径，在所述下层板的下表面直径为第二直径，所述第二直径小于第一直径。
11.根据权利要求10所述的反应腔，其特征在于：所述上层板的第一组复数个孔每个孔的直径为第一直径。
12.根据权利要求10所述的反应腔，其特征在于：所述下层板的第三组复数个孔在所述下层板下表面的直径和所述第二直径相匹配。
13.根据权利要求8所述的反应腔，其特征在于：所述复数个导管密封的焊接到所述上层板和所述下层板。
14.一种制造所述气体注入装置的方法，包括：
制作一个上层板，在所述上层板上按照第一直径钻制第一组复数个孔；
制作一个下层板，在所述下层板上钻制第二组复数个孔，所述的第二组孔的每个小孔和所述第一组孔的每个小孔位置相对应
在所述下层板上钻制第三组复数个孔，所述第三组孔的每个孔从上表面开始按照第一直径钻制深度小于下层板厚度的进气孔，然后从下层板的下表面开始钻制第二直径的出气孔与从上表面开始钻制的进气孔连通，将一组复数个导管插入并固定到所述上层板的第一组复数个孔和所述下层板的第二组复数个孔的进气口。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于：所述第二组复数个孔的进气孔钻制时在所述下层板上表面按照第一直径钻入一小于所述下层板厚度的深度，从所述下层板下表面按照第二直径钻制出气孔至与从上表面开始钻制的进气孔连通，所述的第一直径大于第二直径。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于：所述的第一直径与所述上层板的第一组复数个孔直径相等。
17.根据权利要求14所述的方法，其特征在于：所述的下层板内包括一冷却渠道。
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于：所述的冷却渠道上设置一密封部件。
19.根据权利要求14所述的方法，其特征在于：所述的固定方法为焊接。
20.一种将两种气体独立的注入反应腔的气体注入装置，其特征在于：包括：
一带有第一组复数个孔的上层板，所述第一组复数个孔的直径为第一直径；
一包括上表面和下表面的下层板，所述下表面暴露于反应区中，所述上表面面对所述上层板，所述下层板设置有第二组复数个孔和第三组复数个孔，所述第二组复数个孔与所述上层板的第一组复数个孔位置相对应，
一组复数个导管插入所述第一组复数个孔和第二组复数个孔的部分深度，使所述复数个导管不能到达所述下层板下表面，并且所述复数个导管和所述小孔密封的连接。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103397309A (zh)* | 2013-08-02 | 2013-11-20 | 光垒光电科技（上海）有限公司 | 进气装置及反应腔室 |
| CN109385618A (zh)* | 2017-08-04 | 2019-02-26 | Asm Ip控股有限公司 | 用于在反应室内分配气体的淋喷头组件和用于控制所利用的淋喷头组件的温度均匀度的方法 |
| CN115404463A (zh)* | 2022-10-31 | 2022-11-29 | 上海星原驰半导体有限公司 | 原子层沉积设备及原子层沉积喷淋装置 |
Families Citing this family (282)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011044451A2 (en)* | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Applied Materials, Inc. | Multi-gas centrally cooled showerhead design |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| KR101327458B1 (ko)* | 2012-01-10 | 2013-11-08 | 주식회사 유진테크 | 냉각 방식의 샤워헤드 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| TWI470105B (zh)* | 2013-06-03 | 2015-01-21 | Adpv Technology Ltd | Gas Reaction Continuous Cavity and Gas Reaction |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| SG11201701461TA (en)* | 2014-09-08 | 2017-03-30 | Applied Materials Inc | Honeycomb multi-zone gas distribution plate |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| KR102762543B1 (ko) | 2016-12-14 | 2025-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10755900B2 (en)* | 2017-05-10 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Multi-layer plasma erosion protection for chamber components |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| CN111344522B (zh) | 2017-11-27 | 2022-04-12 | 阿斯莫Ip控股公司 | 包括洁净迷你环境的装置 |
| WO2019103613A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| KR102695659B1 (ko) | 2018-01-19 | 2024-08-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| WO2019158960A1 (en) | 2018-02-14 | 2019-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102600229B1 (ko) | 2018-04-09 | 2023-11-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| TWI811348B (zh) | 2018-05-08 | 2023-08-11 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
| US12272527B2 (en) | 2018-05-09 | 2025-04-08 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same |
| KR102516885B1 (ko)* | 2018-05-10 | 2023-03-30 | 삼성전자주식회사 | 증착 장비 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법 |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| KR102854019B1 (ko) | 2018-06-27 | 2025-09-02 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체 |
| TWI873894B (zh) | 2018-06-27 | 2025-02-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| CN110970344B (zh) | 2018-10-01 | 2024-10-25 | Asmip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US12378665B2 (en) | 2018-10-26 | 2025-08-05 | Asm Ip Holding B.V. | High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR102748291B1 (ko) | 2018-11-02 | 2024-12-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| TWI874340B (zh) | 2018-12-14 | 2025-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
| TWI866480B (zh) | 2019-01-17 | 2024-12-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR102727227B1 (ko) | 2019-01-22 | 2024-11-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
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| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
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| US12169361B2 (en) | 2019-07-30 | 2024-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
| CN112342526A (zh) | 2019-08-09 | 2021-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 包括冷却装置的加热器组件及其使用方法 |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
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| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
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| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
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| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
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| TWI855223B (zh) | 2020-02-17 | 2024-09-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法 |
| CN113410160A (zh) | 2020-02-28 | 2021-09-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 专用于零件清洁的系统 |
| KR20210113043A (ko) | 2020-03-04 | 2021-09-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 정렬 고정구 |
| US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
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| TWI873359B (zh) | 2020-06-30 | 2025-02-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US12431354B2 (en) | 2020-07-01 | 2025-09-30 | Asm Ip Holding B.V. | Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor |
| TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US12152302B2 (en)* | 2020-07-08 | 2024-11-26 | Applied Materials, Inc. | Multiple-channel showerhead design and methods in manufacturing |
| KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
| KR20220011092A (ko) | 2020-07-20 | 2022-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| TWI878570B (zh) | 2020-07-20 | 2025-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| US12322591B2 (en) | 2020-07-27 | 2025-06-03 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film deposition process |
| KR20220021863A (ko) | 2020-08-14 | 2022-02-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| TW202228863A (zh) | 2020-08-25 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統 |
| US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
| TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
| TW202217045A (zh) | 2020-09-10 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| KR20220036866A (ko) | 2020-09-16 | 2022-03-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물 증착 방법 |
| US20220093361A1 (en)* | 2020-09-22 | 2022-03-24 | Applied Materials, Inc. | Showerhead assembly with recursive gas channels |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| TWI889903B (zh) | 2020-09-25 | 2025-07-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
| CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
| TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| TW202232565A (zh) | 2020-10-15 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 製造半導體裝置之方法及使用乙太網路控制自動化技術之基板處理裝置 |
| TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202229620A (zh) | 2020-11-12 | 2022-08-01 | 特文特大學 | 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法 |
| TW202229795A (zh) | 2020-11-23 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具注入器之基板處理設備 |
| TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
| TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
| US12255053B2 (en) | 2020-12-10 | 2025-03-18 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer |
| TW202233884A (zh) | 2020-12-14 | 2022-09-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成臨限電壓控制用之結構的方法 |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| TW202232639A (zh) | 2020-12-18 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具有可旋轉台的晶圓處理設備 |
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| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| USD1060598S1 (en) | 2021-12-03 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Split showerhead cover |
| CN116926507A (zh)* | 2022-04-07 | 2023-10-24 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种进气装置及衬底处理设备 |
| WO2024158762A1 (en)* | 2023-01-27 | 2024-08-02 | Lam Research Corporation | Showerhead for supplying metastable activated radicals |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004103630A (ja)* | 2002-09-05 | 2004-04-02 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | シャワーヘッド及びシャワーヘッドを用いた半導体熱処理装置 |
| US20060011298A1 (en)* | 2004-07-15 | 2006-01-19 | Ji-Eun Lim | Showerhead with branched gas receiving channel and apparatus including the same for use in manufacturing semiconductor substrates |
| CN101255552A (zh)* | 2007-02-27 | 2008-09-03 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 应用于等离子体反应室中的气体喷头组件、其制造方法及其翻新再利用的方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9411911D0 (en)* | 1994-06-14 | 1994-08-03 | Swan Thomas & Co Ltd | Improvements in or relating to chemical vapour deposition |
| KR100513920B1 (ko)* | 2003-10-31 | 2005-09-08 | 주식회사 시스넥스 | 화학기상증착 반응기 |
| JP2010059520A (ja)* | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Sharp Corp | 気相成長装置及び気相成長方法 |
| US20110048325A1 (en)* | 2009-03-03 | 2011-03-03 | Sun Hong Choi | Gas Distribution Apparatus and Substrate Processing Apparatus Having the Same |
| US20120097330A1 (en)* | 2010-10-20 | 2012-04-26 | Applied Materials, Inc. | Dual delivery chamber design |
- 2011
- 2011-11-10CNCN2011103552927Apatent/CN102352492A/zhactivePending
- 2011-12-26USUS13/337,247patent/US20130118405A1/ennot_activeAbandoned
- 2011-12-30TWTW100149967Apatent/TWI569878B/zhactive
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004103630A (ja)* | 2002-09-05 | 2004-04-02 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | シャワーヘッド及びシャワーヘッドを用いた半導体熱処理装置 |
| US20060011298A1 (en)* | 2004-07-15 | 2006-01-19 | Ji-Eun Lim | Showerhead with branched gas receiving channel and apparatus including the same for use in manufacturing semiconductor substrates |
| CN101255552A (zh)* | 2007-02-27 | 2008-09-03 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 应用于等离子体反应室中的气体喷头组件、其制造方法及其翻新再利用的方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103397309A (zh)* | 2013-08-02 | 2013-11-20 | 光垒光电科技（上海）有限公司 | 进气装置及反应腔室 |
| CN109385618A (zh)* | 2017-08-04 | 2019-02-26 | Asm Ip控股有限公司 | 用于在反应室内分配气体的淋喷头组件和用于控制所利用的淋喷头组件的温度均匀度的方法 |
| CN115404463A (zh)* | 2022-10-31 | 2022-11-29 | 上海星原驰半导体有限公司 | 原子层沉积设备及原子层沉积喷淋装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201318706A (zh) | 2013-05-16 |
| US20130118405A1 (en) | 2013-05-16 |
| TWI569878B (zh) | 2017-02-11 |
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