Doteren (Latijn: dotare, voorzien,Engels:doping) is het opzettelijk inbrengen vanroosterdefecten, van onzuiverheden in eenmateriaal om demateriaaleigenschappen te veranderen. Het is een begrip uit dehalfgeleidertechnologie. Het zuivere, veelalkristallijne basismateriaal wordt gedoteerd met zeer specifieke onzuiverheden,atomen van een ander materiaal. De atomen creëren in hetkristalrooster eensubstitutioneel-defect. Daarmee wordt het oorspronkelijkisolerende basismateriaal eenhalfgeleider.
Onder invloed van het Engelsedoping wordt doteren soms foutief aangeduid als 'doperen'.
Aan de hand van deelektrische lading van het kristalrooster als gevolg van doteren kunnen er twee vormen worden onderscheidden:
Er zijn in de halfgeleiderfysica twee gangbare methoden om te doteren:diffusie en ionenimplantatie.
Diffusie is meestal een tweetrapsproces: eerst wordt een laag met een hogeconcentratie onzuiverheden aangebracht, ook wel predepositie genoemd, waarna door een warmtebehandeling bij hogetemperatuur de dotering in het kristalroosterdiffundeert.Daarbij wordt de oppervlakteconcentratie lager en de concentratie in het materiaal hoger. Dediffusiecoëfficiënt speelt hierbij een belangrijke rol.
Het implanteren vanionen gebeurt ondervacuüm met een ionenbron. In de meeste gevallen is die bron een speciale uitvoering van eendeeltjesversneller, waarin ionen met de gewenste massa door een magneetveld worden afgescheiden. Versneld door eenelektrisch veld, botsen ze vervolgens met snelheden tot over 300.000 km/uur op het te doteren materiaal. In het geval van lage versnellingsspanningen zonder massascheiding spreekt men echter vanphysical vapor deposition. De indringdiepte hangt af van het te implanteren materiaal en van de grootte van het ion. Door een geschikte keuze van de versnellerspanning is de snelheid, en daarmee de indringdiepte van de ionen, nauwkeurig te regelen.
