Bipolārajiem tranzistoriem parasti ir trīs izvadi (emiters, bāze un kolektors), lai arī ir iespējami optiskie tranzistori, kur vadības elektroda vietā ir optiskā ieeja. Ir arī īpaši daudzemiteru tranzistori ar papildus emiteru izvadiem. Augstfrekvences tranzistoriem bieži ir ceturtais izvads, kas savienots ar tā korpusu. Lauktranzistoru 3 izvadus sauc par izteci, noteci un aizvaru.
1970. gados PSRS ražoti mazjaudīgi germānija tranzistori.
Jūlijs Edgars Lilienfelds 1928. gadā Vācijā pirmo reizi patentēja lauktranzistora darbības principu, bet lauktranzistoru kā reālu ierīci pirmais patentēja vācu fiziķis Oskars Heils 1934. gadā. Lai arī lauktranzistora darbības princips ir daudz vienkāršāks nekā bipolārajam tranzistoram, tikai 1960. gadā izgatavoja tāda tipa MOS (Metal-Oxide-Semiconductor jebMetāls-Oksīds-Pusvadītājs) tranzistoru, kādi tagad ir mūsdienudatoru darbības pamatā, un tikai 1990. gados MOS tehnoloģija sāka dominēt pār bipolāro tehnoloģiju.
Pasaulē pirmais bipolārais tranzistors tika demonstrēts 1947. gada 16. decembrī Bella laboratorijās ASV. Tā izgudrotāji bijaViljams Šoklijs,Džons Bardīns unVolters Brateins. Visi trīs 1956. gadā par to saņēmaNobela prēmiju fizikā[1] Tā bija kārtējā revolūcijaelektronikā, kas vēlāk ļāva atteikties no vakuumaelektronu lampām gandrīz visās elektronikas sfērās, radīt uz tranzistoru pamata arvien sarežģītākasintegrētās shēmas un attīstīt datoru tehnoloģijas.
Sākumā jaunās ierīces dēvēja par pusvadītāju triodēm vai kristāltriodēm, bet vēlāk Bella laboratorijās tās nolēma saukt par tranzistoriem, kas burtiski nozīmējapārnesamu vaimaināmu pretestību.
Tranzistorā strāva divu elektrodu ķēdē tiek vadīta ar trešā elektroda palīdzību. Neliela strāvas (bipolārajā tranzistorā) vai sprieguma (lauktranzistorā) izmaiņa uz vadības elektroda (bāzes vai aizvara) izsauc lielas strāvas vai sprieguma izmaiņas vadāmajā ķēdē. Tādējādi iespējams pastiprināt elektrisko signālu, kā arī izmantot tranzistoru par bezkontakta pārslēgu.
Pēc izmantojamā pusvadītāju materiāla tranzistori iedalāsgermānija unsilīcija tranzistoros. Vēsturiski pirmie bija germānija tranzistori, kuri mūsdienās vairs tikpat kā netiek izmantoti. Kā pusvadītāju materiālus tranzistoru izgatavošanai lieto arīgallija arsenīdu GaAs, silīcija un germānija sakausējumu, pusvadītāju polimērus. Tiek eksperimentēts aroglekļa nanocaurulīšu izmantošanu tranzistoru izgatavošanā.
Pēc tranzistoru izpildījuma izšķir diskrētos (korpusa un bezkorpusa) tranzistorus un tranzistorus, kas ietilpst integrēto shēmu sastāvā. Diskrētos korpusa tranzistorus savukārt iedala pēc korpusa veida - ir metāla, keramiskie, plastmasas, stikla korpusi; virsmas montāžas korpusi; jaudīgu tranzistoru korpusi, kas paredzēti siltuma aizvadīšanasradiatoru stiprināšanai.
Svarīgs tranzistora parametrs ir tājauda - ir mazjaudīgi tranzistori, kas var izkliedēt milivatos mērāmu jaudu, vidējas jaudas tranzistori (ar 0,1 līdz 1vata jaudu) un lieljaudas tranzistori ar jaudu virs 1 vata. Jo jaudīgāks tranzistors, jo lielāki ir tā izmēri.
Dažādi tranzistori var darboties dažādās frekvencēs. Izšķir zemfrekvences (lieto skaņas pastiprināšanā, spriegumu stabilizēšanā) un augstfrekvences (lieto radiotehnikā) tranzistorus.
Tranzistorus lieto kā elektroniskos bezkontakta pārslēgus dažādos barošanas avotos un loģiskajās shēmās, kā skaņas vai radiofrekvenču signālu pastiprinātājus, dažādu signālu pārveidošanai un apstrādei elektroniskajās shēmās.Visvairāk tranzistorus izmanto kā integrēto shēmu elementus (pasaulē ik sekundi tiek saražots ap pusmiljards mikroskopisku tranzistoru).
