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350 nm 공정

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반도체 소자 제조

MOSFET 스케일링 (공정 노드)
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977 1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
미래 002 nm – 2025 001 nm – 2027
하프 노드 집적도 CMOS 소자 (멀티게이트) 무어의 법칙 반도체 산업 나노전자
v • d • e • h

350 nm(나노미터) 공정 또는0.35 µm(마이크로미터) 공정은인텔 및IBM과 같은 선도적인반도체 기업들이 1995년~1996년경에 달성한반도체 제조 기술 수준이다.

↑RIVA 128 gains support as preferred Direct3D developer platform press release, Nvidia, accessed December 3, 2023.
↑“Propeller I semiconductor process technology? Is it 350nm or 180nm?”. 《Parallax Forums》. 2012년 7월 10일에원본 문서에서 보존된 문서. 2015년 9월 13일에 확인함.
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↑Guillen, Oscar; Gruber, Michael; De Santis, Fabrizio (2017). 〈Low-Cost Setup for Localized Semi-invasive Optical Fault Injection Attacks: How Low Can We Go?〉. 《Constructive Side-Channel Analysis and Secure Design》. Lecture Notes in Computer Science. 10348. 207–222쪽.doi:10.1007/978-3-319-64647-3_13.ISBN 978-3-319-64646-6.