Con il terminedrogaggio, nell'ambito deisemiconduttori, si intende l'aggiunta al semiconduttore puro ("intrinseco") di piccole percentuali diatomi non facenti parte del semiconduttore stesso allo scopo di modificare le proprietà elettroniche del materiale. Il drogaggio in genere aumenta laconducibilità elettrica del semiconduttore. Un drogaggio pesante può fargli assumere proprietà elettriche simili a quelle di un metallo (in tal caso verrà chiamato "semiconduttore degenere").
Il drogaggio può essere di tipo:
Le quantità di elementi droganti utilizzate per effettuare il drogaggio sono, in termini percentuali, bassissime: si parla per l'appunto di impurità elettroniche in quanto tali impurità sono in grado di modificare le proprietà elettroniche ma non le proprietàchimiche del semiconduttore. L'entità del drogaggio si misura inatomi/cm³.
Riferendosi alsilicio, il semiconduttore più utilizzato, che è composto da atomi tetravalenti, il drogaggio di tipo n avviene mediante l'utilizzo di elementi del 5º gruppo (tradizionale) dellatavola degli elementi, tra i più utilizzati nel campo dei semiconduttori vi sono: ilfosforo,l'arsenico el'antimonio. Mentre per il drogaggio di tipo p gli elementi utilizzati appartengono invece al 3º gruppo dellatavola degli elementi, in questo caso i più utilizzati sono: ilboro el'alluminio. I drogaggi più bassi che si usano, al limite del silicio intrinseco, sono dell'ordine di 1013 atomi/cm³, i più elevati, al limite del silicio degenere, sono dell'ordine di 1020 atomi/cm³. Queste concentrazioni sono da confrontare con il numero di atomi di silicio in un centimetro cubo di materiale, che è circa 5×1022.
Si può ottenere un semiconduttore drogato "in bulk" aggiungendo le opportune impurezze durante la sua preparazione (nel materiale fuso, nel caso del silicio). Per drogarne invece un sottile strato superficiale (per ottenere p.es.giunzioni), le tecniche di drogaggio comunemente utilizzate sono ladiffusione termica e l'impiantazione ionica.
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