Si tratta di una struttura circuitale costituita dalla serie di una rete di "Pull-Up" ed una di "Pull-Down": la prima s'incarica di replicare correttamente il livello logico altoLL1 mentre alla seconda è destinata la gestione del livello logico bassoLL0.[1]
Tale topologia circuitale e produttiva fu inventata daFrank Wanlass eChih-Tang Sah nel 1963 e la prima famiglia strutturata successiva alle produzioni paraprototipali fu laSerie 4000 lanciata dalla RCA nel 1968 e presto divenuta standard.
La rete di Pull-Up è costituita daMOSFET a canale P, che si "accendono" solo se la tensione presente sulgate (misurata rispetto alsource) è minore dellatensione di soglia. Inversamente la rete di Pull-Down è costituita da MOSFET a canale N che si accendono solo se la tensione presente sulgate (misurata rispetto alsource) è maggiore della tensione di soglia.
Per comprendere come sia strutturata la tecnologia CMOS può risultare utile osservare una porta logica NOT realizzata con tecnologia CMOS. Si può notare come, nell'eventualità che il segnale d'ingresso sia a LL1, sia il solo N-MOS ad attivarsi portando l'uscita a LL0. Inversamente, con l'ingresso a LL0, è il solo P-MOS ad attivarsi portando l'uscita a LL1. Particolarità di questa porta logica è di avere una dinamica logica d'uscita piena, cioè pari alla massima tensione applicata, Vcc; inoltre né la rete di pull-up né la rete di pull-down soffre di effetto body. La componentistica realizzata in questa tecnologia è caratterizzata da un consumo di corrente estremamente basso.
Sezione trasversale di due transistor in una porta CMOSProcesso semplificato di microfabbricazione. NB: i contatti digate,source edrain non sono realmente sullo stesso piano, e il diagramma non è in scala.
Uno dei principali vantaggi della logica CMOS è di avere una potenza statica dissipata idealmente nulla: questa caratteristica è dovuta allacomplementarità delpull-down (n-Mos) e delpull-up (p-Mos); ossia, quando è acceso il pull-up, è spento il pull-down, e viceversa.In realtà ci sono piccole correnti di perdita (per caricare/scaricare le capacità parassite, la corrente di cortocircuito durante la commutazione di stato, per perdite alle giunzioni e per le correnti di sottosoglia), trascurabili se il numero dei MOS è relativamente piccolo, ma che può diventare particolarmente sentito, in particolare le correnti di sottosoglia sono responsabili di circa la metà della dissipazione di potenza nelle attuali realizzazioniVLSI.
Dimensionando opportunamente i due MOS (simmetrici dal punto di vista funzionale) è possibile avere una curva caratteristica simmetrica, soluzione ottima per avere ilmargine di immunità ai disturbi il più elevato possibile. Il tratto di caratteristica ad alto guadagno è indipendente dal rapporto tra i fattori di forma dei due MOS (ratioless).
Gli elementi base per costruire qualsiasi circuito digitale sono:
NAND: realizzato con pull-up costituito da due p-Mos in parallelo e pull-down da due n-Mos in serie
NOR: realizzato con pull-up costituito da due p-Mos in serie e pull-down da due n-Mos in parallelo
Ogni funzione logica binaria può essere espressa in termini di questi due operatori.
Originariamente i CMOS hanno una struttura del tipo FSI (front side illumination), dove lo strato di silicio (fotosensori) è posto in fondo, mentre con la disposizione BSI (backside illumination) dato che lo strato di silicio è posto sopra gli strati metallici (servono al fotodiodo per convertire i fotoni della luce in elettroni, quindi in segnali elettrici), il che permette una maggiore sensibilità alla luce e per via della disposizione anche una maggiore fedeltà al colore (minori contaminazioni dei pixel adiacenti) e possibilità di adoperare ottiche più compatte.[2]
Grafico della e rispetto al tempo della logica CMOS
Trascurando la capacità parassita e consideriamo un segnale di ingresso che comprenda un fronte di salita e uno di discesa, tenendo presente il ritardo di propagazione ( e sono non nulli).Dall'istante a e da a la corrente non è nulla in quanto sia il PU che il PD sono accesi.Quindi la potenza avrà un valore non nullo in quei punti; ricordiamo che la potenza dinamica è:
Questa volta poniamo e nulli in modo che la e consideriamo il condensatore parassita.Adesso la potenza dissipata sarà quella utilizzata dai MOS per caricare e scaricare il condensatore.
Possiamo identificare 3 parametri:
= potenza dissipata dal condensatore (in un periodo si sarà caricato e scaricato, quindi avrà assorbito e ceduto la stessa potenza; questo porta ad avere una potenza media dissipata nulla
- Potenza dissipata dal N-MOS per scaricare il condensatore
- Potenza dissipata dal P-MOS per caricare il condensatore