Zsoresz Ivanovics Alfjorov (orosz: Жорес Иванович Алфёров;belorusz: Жарэс Іванавіч Алфёраў;angol: Zhores Alferov,Vityebszk,1930. március 15. −2019.március 1.) fehérorosz, szovjet és orosz fizikus és tudós, aki jelentősen hozzájárult a korszerűheterostrukturált fizika és elektronika tudományának kialakulásához.[1][2] Feltalálója aheterotranzisztornak és a 2000. évifizikai Nobel-díj nyertese.[3][4] Ő nemcsak tudós, hanem orosz politikus is, aki 1995 óta tagja volt azÁllami Dumának.
GaAs / AlAs szuperrács és potenciális profilja látható a vezetési és a vegyérték sáv növekedésének irányában
AlfjorovVicebszkben született (Belorusz SZSZK,Szovjetunió), afehérorosz apa, Ivan Karpovics Alfjorov, gyárigazgató, észsidó anya, Anna Vladimirovna gyermekeként. A Zsoresz (Zhores) nevet a francia szocialistaJean Jaurès után kapta, míg az idősebb testvére a Marx nevetKarl Marx után.1947-ben befejezte a középiskolát (42)Minszkben, és megkezdte afehéroroszPoliteknikai Akadémiát.1952-ben diplomát szerzett aV. I. Uljanov (Lenin) Elektrotechnikai Intézetben,Leningrádban.
1953 óta dolgozott a Szovjet Tudományos Akadémia A. F. Ioffe Fizikai-Műszaki Intézetében. Az Intézetben szerzett több tudományos fokozatot: a Tudomány és Technológia Kandidátusa1961-től, a Fizika és Matematika Tudományok Doktora1970-től. Az intézet igazgatója1987 óta. Levelező tagjává választották a Szovjetunió Tudományos Akadémiának1972-ben, és teljes jogú tagja1979-től.1989-től alelnöke a Szovjet Tudományos Akadémia elnökségének és a Szent-Pétervári Tudományos Központnak.1995 óta tagja az Állami Dumának, az Oroszországi Föderáció Kommunista Pártjának listáján jutott be.2000-ben megkapta afizikai Nobel-díjat, valamintHerbert Kroemer is „A fejlődő félvezető heterostruktúrák nagysebességű – és optoelektronikai használatáért”.
Alfjorov feltalálta a heterotranzisztort. Ez a találmány képes megbirkózni sokkal magasabb frekvenciájú hullámokkal (EHF;MMW), mint elődei, és úgy tűnik, forradalmasította amobiltelefonos ésműholdas kommunikációt.Alfjorov ésKroemer egymástól függetlenül alkalmazzák ezt atüzelőlézer technológiát. Ez viszont forradalmasította félvezető designt számos területen, többek közöttLED-ek, vonalkód olvasók és a CD-k tekintetében.
Hermann Grimmeiss, aSvéd Királyi Tudományos Akadémia tagja a Nobel-díj díjátadóján azt mondta: „Alfjorov nélkül nem lenne az lehetséges, hogy az információk a műholdakról a földre találjanak, vagy, a megszámlálhatatlanul sok mobiltelefonvonal a városok között éljenek, kommunikáljanak.”
A Nanotechnológia Nemzetközi Fórumának moszkvai megnyitója (Rusnanotech 2010.)
1962 óta dolgozik afélvezető heterostruktúrák területén.[5] Hozzájárult afélvezető heterostruktúrák fizikájának és technológiájának tudományos megismeréséhez.[6] Különös tekintettel a tüzelő tulajdonságúlézerek fejlesztése,napelemek,LED-technológiák, és epitaxis folyamatok vezettek a korszerű heterostrukturált fizikához és elektronikához.[7]
Nagy jelentőséget tulajdonít a félvezető heterostruktúrák jövőbeni felhasználásának, mint írja: „Sok tudós járult hozzá ehhez a figyelemre méltó haladáshoz, ami nem csak meghatározza nagy mértékben a szilárdtestfizika kilátásait, hanem bizonyos értelemben befolyásolja is az emberi társadalmat a jövőben.”.[8]
Találkozás Vlagyimir Putyinnal 2000. október 12-én
Alfjorovot választották az orosz parlament alsóházába, azÁllami Dumába1995-ben mint a helyettes párt vezetőjét aMi Otthonunk Oroszország pártból, általában úgy, hogy támogatják politikájukkal az elnököt,Borisz Jelcint. 1999-ben választották újra, ezúttal listán, a Kommunista Párt az Oroszországi Föderációért listáján. Újraválasztották 2003-ban és 2007-ben, amikor a második helyen a pártszövetség választási listáján Gennagyij Zjuganov mögött és Nyikolaj Haritonovot megelőzve, annak ellenére, hogy nem tagja a pártnak. Ő volt az egyik aláírója annak a nyílt levélnek, amelyet azOrosz Tudományos Akadémia tagjai Vlagyimir V. Putyin elnökhöz címeztek azOroszországban folyó vallási alapú oktatás ellen.[9]
3. osztálya (1999.június 4.) – kiemelkedő fejlődéséhez járult hozzá a nemzet tudományához és oktatásához a magasan képzett személyek terén, az Orosz Tudományos Akadémia megalakulásának 275. éves évfordulója alkalmából;
4. osztály (2010.március 15.) – a szolgálatával járult hozzá a nemzeti tudomány állami fejlődéséhez sokéves gyümölcsöző tevékenységével
A Tudomány és Technológia Díja (2002.augusztus 5.) az ő munkája, „Alapvető tanulmányok a heterostruktúrák kvantum dotokkal lézeralapú létrehozásáért és azok tulajdonságaiért.”
Lenin-rend (1972) – a félvezetőkön és heterostruktúrákon alapuló eszközök fejlesztéséért az alapkutatásban
A Szovjetunió Állami Díja (1984) – az izoperiodikus heterostruktúrákon alapuló kvaterner szilárd anyagok A3B5 félvezető vegyületek fejlesztéséért
H. Welker Arany Medál (1987) – úttörő munka a III-V vegyületek csoportján alapuló elméleti és technológiai eszközök kutatásában
Stuart Ballantine Medál (Franklin Institute,USA,1971) – az elméleti és kísérleti tanulmányai a kettős lézer heterostruktúrák terén, amely létrehozta a kis méretű, szobahőmérsékleten, folyamatos üzemmódban működő lézerfényforrásokat
-_Highly_folded_Hetero-junction%2c_(b)-_Hetero-junction_with_controlled_growth.JPG)
