Ez a lap egy ellenőrzött változata
AzNMOS (n-típusú fém–oxid–félvezető) egyintegrált kapcsolóknál logikai kapcsolók létrehozására használt félvezető-technika. Csak n-csatornásfém–oxid–félvezető mezőhatás-tranzisztorokat (n-csatornás MOSFET) használ.
Az NMOS-t az 1970-es és 1980-as években használták digitális logikai kapcsolókhoz, például mikroprocesszorokhoz. Manapság kis léptékben alkalmazzák, mivel szinte teljesen felváltotta aCMOS logika kisebb teljesítményvesztesége miatt.
 |  |
 |  |
Az NMOS-logika egy egyszerűNAND-kapuval érthető meg könnyen. Egy NAND-kapu bemeneteiA ésB, kimeneteY. A terhelőR ellenállás hátránya, hogy integrált áramkörökön sok helyet foglal. Az NMOS első változatában minden ellenállást önzáró n-csatornás FET helyettesített, így csak önzáró n-csatornás MOSFET kellett. Ennek előnye volt, hogy kevesebb lépés kellett az IC előállításához, azonban hátrányt jelentett a két szükséges ellenállás.
Ezt javították azzal, ha a fenti terhelő tranzisztort a mellette lévő ábrán lévő önvezető n-csatornás MOSFET-tel helyettesítették. Ez is bemutatja az NMOS-logikai kapcsolók kapcsolási elvét. Így csupán egy ellátási feszültség kellett, és kisebb volt a veszteség, azonban a bonyolult előállítás hátrány volt, mivel a vezetőT1 tranzisztor legalább egy lépéssel többet és több helyet igényelt a kapcsolótranzisztornál.
A terhelő tranzisztor az NMOS-nál nagyjából egyenáramú forrásként működik, így a veszteség kisebb, mint konstans értékűR terhelő ellenállásnál. Ha az önvezetőT1 tranzisztor forrás/cél diffúziója alacsony ellenállású, elég a NAND-kapuhoz 4 maszk, magas ellenállás mellett legalább 5 kell.
A korábbi, könnyebben előállítható és csak p-csatornás MOSFET-eketPMOS-logikával szemben az n-csatornás MOSFET-ek előnye, hogy csak negatív töltések, elektronok haladnak a mezőhatás-tranzisztorban. Ezek könnyebben mozognak, mint a p-csatornás MOSFET-ekben a pozitív töltésűelektronlyukak. Ennek előnye a PMOS-kapukkal elérhetőnél magasabb elérhetőkapcsolási frekvencia.
A gyártási folyamatok fejlődése miatt ez az előny másodlagossá vált, és aCMOS-nál az önzáró p- és n-csatornás MOSFET-ek együtt jelentősen kisebb veszteséggel voltak használhatók az NMOS-nál. Az NMOS hátrányai a CMOS-hoz képest:
Az NMOS kisebb szerkezeti nagyságú és sűrűbb kiterjesztése aHMOS.
Brazil és kolumbiai kutatók sikeresen módosították NMOS-tranzisztorok feszültséghatárát az oxidáció előtt a szilíciumba helyezett arzénnel.[1]
Ez a szócikk részben vagy egészben aNMOS-Logik című német Wikipédia-szócikkezen változatának fordításán alapul. Az eredeti cikk szerkesztőit annak laptörténete sorolja fel. Ez a jelzés csupán a megfogalmazás eredetét és a szerzői jogokat jelzi, nem szolgál a cikkben szereplő információk forrásmegjelöléseként.