Pour les articles homonymes, voirRAM.
Cet article est uneébauche concernant l’électronique.
Ne doit pas être confondu aveczRam.
LaZ-RAM (Zero-capacitorRandomAccessMemory) est un type de mémoire DRAM développé par Innovative Silicon[1].
Selon ses promoteurs, une mémoire Z-RAM serait aussi rapide qu'une mémoireSRAM tout en étant plus compacte étant donné qu'elle n'utiliserait qu'untransistor (sanscondensateur) pour stocker unbit d'information. La taille de la cellule est plus petite que celle de laSRAM[2], mais devrait être un peu moins rapide[2].
Son principe est basé sur l'effet de corps flottant (floating body effect) de la technologiesilicium sur isolant (en anglais,silicon on insulator ouSOI)[3].
Une mémoire Z-RAM basée sur la technologiesilicium sur isolant serait très onéreuse à produire et, de ce fait, serait réservée à des applications de niche.
Advanced Micro Devices s'est intéressé à la technologie Z-RAM en 2006, mais n'a jamais développé de produits avec cette technologie[4].
Hynix s'est aussi intéressé à la technologie en 2007[5], mais sans succès.
Enmars 2010, Innovative Silicon a annoncé qu'elle allait développer une seconde génération de mémoire Z-RAM basée sur la technologieCMOS et qui serait beaucoup moins coûteuse à produire, peu de temps avant de faire faillite le.
Ses brevets ont été transférés àMicron Technology en 2010[6], mais la technologie Z-RAM ne semble plus intéresser personne.
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