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Silylidyne

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Silylidyne
Image illustrative de l’article Silylidyne
Radical silylidyne.
Identification
Nom UICPAhydrurosilicium
No CAS13774-94-2
PubChem6432086
ChEBI30580
SMILES
InChI
Std. InChI :vue 3D
InChI=1S/HSi/h1H
Std. InChIKey :
QHGSGZLLHBKSAH-UHFFFAOYSA-N
Propriétés chimiques
FormuleHSiSiH
Masse molaire[1]29,093 4 ± 0,000 4 g/mol
H 3,46 %, Si 96,54 %,

Unités duSI etCNTP, sauf indication contraire.
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Leradicalsilylidyne est uneespèce chimique deformule ⋮SiH présente dans lesétoiles et probablement dans lemilieu interstellaire, tandis que legroupe silylidyne ≡SiH peut par exemple former unemonocouche à la surface dusilicium solide.

Le radical SiH peut être obtenu expérimentalement en exposant une masse de silicium solide à unarc électrique dans une atmosphère d'hydrogène à faiblepression[2]. Deshydrures de silicium se forment également à la surface de silicium solide nettoyé à l'acide fluorhydrique HF ; ces hydrures de décomposent en radical silylidyne lorsqu'ils sont chauffés à750 K[3]. Il a été observé dans l'espace pour la première fois en 1993 dans destaches solaires, puis dans laphotosphère dusoleil et d'étoiles froides. Lesvariables Mira detype M ou detype S présentent desraies d'émission du radical SiH. Ce dernier est absent desnaines brunes et desplanètes, qui sont plus froides et sur lesquelles le silicium forme dumonoxyde de silicium SiO à basse pression et dusilane SiH4 à haute pression. On peut trouver sur ces objets des traces de SiH commeintermédiaire réactionnel carSiO etSiH4 réagissent avec l'eau H2O[4].

Le groupe ≡SiH peut recouvrir une surface de silicium solide par réaction de ce dernier avec de l'hydrogène atomique H ou du silane SiH4 chauffé[5]. Les faces (111) d'uncristal de silicium seront recouvertes de monohydrure pur ≡SiH tandis que les autres faces porteront également des dihydrure =SiH2 et trihydrure –SiH3[5].

Notes et références

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  1. Masse molaire calculée d’après« Atomic weights of the elements 2007 », surwww.chem.qmul.ac.uk.
  2. E. G. Rochow,The Chemistry of Silicon: Pergamon International Library of Science, Technology, Engineering and Social Studies, J. C. Bailar, H. J. Emeléus, Ronald Nyholm ; Elsevier, 2013(ISBN 978-1483187556).
  3. (en)X. H. Sun, S. D. Wang, N. B. Wong, D. D. D. Ma, S. T. Lee, et Boon K. Teo, « FTIR Spectroscopic Studies of the Stabilities and Reactivities of Hydrogen-Terminated Surfaces of Silicon Nanowires »,Inorganic Chemistry,vol. 42,no 7,‎,p. 2398-2404(PMID 12665376,DOI 10.1021/ic020723e,lire en ligne).
  4. (en)Sergei N. Yurchenko, Frances Sinden, Lorenzo Lodi, Christian Hill, Maire N. Gorman et Jonathan Tennyson, « ExoMol line lists XXIV: A new hot line list for silicon monohydride, SiH »,Monthly Notices of the Royal Astronomical Society,vol. 473,no 4,‎,p. 5324-5333(DOI 10.1093/mnras/stx2738,Bibcode 2018MNRAS.473.5324Y,arXiv 1710.06964,lire en ligneAccès libre).
  5. a etb(en)C. C. Cheng et J. T. Yates, Jr., « H-induced surface restructuring on Si(100): Formation of higher hydrides »,Physical Review B,vol. 43,no 5,‎,p. 4041-4045(PMID 9997752,DOI 10.1103/PhysRevB.43.4041,Bibcode 1991PhRvB..43.4041C,lire en ligne).
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