| Nitrure d'aluminium-gallium | |
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| __ Ga3+/Al3+ __ N3- | |
| Identification | |
|---|---|
| Nom UICPA | Nitrure d'aluminium-gallium |
| Propriétés chimiques | |
| Formule | AlxGa1-xN |
| Propriétés électroniques | |
| Largeur de bande interdite | 3,43 eV (x = 0) à 6,42 eV (x = 1) |
| Unités duSI etCNTP, sauf indication contraire. | |
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Lenitrure d'aluminium-gallium (AlxGa1-xN) est un matériausemi-conducteur ternaire, alliage denitrure d'aluminium et denitrure de gallium. C'est unsemi-conducteur III-V àgap direct variant entre3,43 et6,20 eV à température ambiante, en fonction du ratioaluminium/gallium, ce qui le rend utile pour des applications en opto-électronique.
L'AlGaN est utilisé pour fabriquer desdiodes électroluminescentes fonctionnant dans la région du bleu à l'ultraviolet, des longueurs d'onde jusqu'à 250 nm (UV lointain) ont été atteintes. Il est également utilisé dans leslasers à semi-conducteur bleus, dans desphotodétecteurs d'ultraviolet et dans les transistorsHEMT AlGaN/GaN.
L'AlGaN est souvent utilisé en association avec lenitrure de gallium ou lenitrure d'aluminium pour former deshétérojonctions.
Les couches d'AlGaN peuvent être formées sur dusilicium, dusaphir ou encore ducarbure de silicium.
La toxicité de l'AlGaN n'a pas été totalement étudiée. La poussière d'AlGaN est irritante pour la peau, les yeux et les poumons. Les aspects concernant l'environnement, la santé et la sécurité des sources de nitrure d'aluminium-gallium (tels que letriméthylgallium etammoniac) et les études de surveillance sanitaire industrielles des sources standardEPVOM ont été évaluées récemment dans un rapport[1].
| Ga(I) | |||
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| Ga(II) | |||
| Ga(III) |
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