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Unediode PIN (de l’anglaisPositive Intrinsic Negative diode) est unediode constituée d'une zone non-dopée, dite intrinsèque I, intercalée entre deux zonesdopées P et N.
Une diode PIN polarisée dans le sens direct (passante) offre une impédance dynamique (vis-à-vis des signaux variables) extrêmement faible. Polarisée dans le sens inverse (bloquée), elle offre une très grande impédance et surtout une très faible capacité (elle se comporte comme un condensateur de très faible valeur, quelquespicocoulomb, voire bien moins encore suivant les modèles).
En plus des couches P+ et N+ typiques d'une diode, la diode PIN possède une zone centrale I dont le dopage est très inférieur. En conséquence, cette zone N agit comme un semi-conducteur intrinsèque, c'est-à-dire non dopé, d'où le nom de "I" donné à la zone[1].
Par rapport à une diode PN standard, les diode PIN (de taille similaire) présentent une meilleure tenue en tension[2] et unecapacité de jonction plus faible.
Une diode PIN polarisée en direct (dans le sens passant), se comporte comme une résistance pilotée par le courant de polarisation. La résistance équivalente est fonction de la largeur de la zone non dopée et est inversement proportionnelle au courant de polarisation[3].
Cette caractéristique fait que ces diodes sont utilisées comme atténuateur et interrupteur radio-fréquences : on commande le passage des hautes fréquences par le courant de polarisation.
Ce sont des diodes de commutation rapide utilisées pour les signaux dehautes fréquences comme :
Ces diodes sont également utilisées en électronique de puissance. En effet, elles présentent un recouvrement faible (dû à la faible capacité de jonction) et unetension de claquage élevée[5].
