Eristyshilainen bipolaaritransistori eliIGBT (engl.insulated-gate bipolar transistor) onsuurtehosovelluksiin kehitettybipolaaritransistori, jonkahila onMOSFETin tavoin eristetty kanavasta. Tämä tarkoittaa käytännössä sitä että IGBT:ssä on sekä bipolaaritransistori että MOSFET yhdessä. IGBT muistuttaakin kollektorilta päin katsottuna bipolaaritransistoria, mutta sen ohjaus toteutuu MOSFETilla.[1]
IGBT kestää suurenvirran kiinni-tilassa, ja suurenjännitteen auki-tilassa, ja se on tarkoitettutehoelektroniikan kytkinkäyttöön, yhtenä yleisenä käyttökohteenataajuusmuuttajat. IGBT:n jäähdytyselementin ei tarvitse olla suuri, koska sillä on pienet jännite- ja tehohäviöt, jolloin se ei tuota toimiessaan kovin voimakkaasti lämpöä, toisin kuin MOSFET tai bipolaaritransistori.[1]
IGBT:n ohjaus ei vaadi monimutkaisia kytkentöjä, sen ohjaus onnistuu samalla tavoin kuin MOSFETilla. IGBT on hidas kyllästystilasta (auki-tila) sulkutilaan, koska hilan varauksenkuljettajat voivat poistua vain rekombinaatiolla. Ne on siis purettava transistoria suljettaessa esimerkiksi vastuksen kautta takaisin kollektorille.[1] Ohjaus onnistuu myös ilman purkuvastusta esimerkiksihilamuuntajaa käyttäen, jolloin on käytettävä hilavastusta ja tarvittaessa myös nopeaa purkudiodia.