 | See artikkelootabkeeletoimetamist.(Detsember 2020) Kui oskad, siis palun aitaartiklit keeleliselt parandada.(Kuidas ja millal see märkus eemaldada?) |
LPDDR (tuntud ka kuimobiilne DDR,mDDR,Low Power DDR võiLP-DDR) onkahekordse andmeedastuskiirusega sünkroonne DRAM mobiilarvutite jaoks.
| LP-DDR | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 1E | 2 | 2E | 3 | 3E | 4 | 4E | |
| Mälu massiivitakt (MHz) | 200 | 266,7 | 200 | 266,7 | 200 | 266,7 | 200 | 266,7 |
| eelhanke maht | 2n | 4n | 8n | 16n | ||||
| I/O siinitaktsagedus (MHz) | 200 | 266,7 | 400 | 533,3 | 800 | 1067 | 1600 | 2133 |
| Andmeedastuskiirus (DDR) (MT/s) | 400 | 533,3 | 800 | 1067 | 1600 | 2133 | 3200 | 4267 |
| Toitepinge | 1,8 V | 1,2 V, 1,8 V | 1,2 V, 1,8 V | 1,1 V, 1,8 V | ||||
| Käsu/aadressi siin | 19 bitti, SDR | 10 bitti, DDR | 10 bitti, DDR | 6 bitti, SDR | ||||
Erinevalt standardsestSDRAM-ist, mida kasutatakse statsionaarsetes seadmetes ja sülearvutites ning mis on tavaliselt ühendatud 64-bitise mälusiiniga, lubab LPDDR ka 16- või 32-bitiseid kanaleid.Lisaks standardsele SDRAM-ile on ka iga LPDDR-i põlvkond kahekordistanud sisemise hanke mahu ja välise edastuskiiruse.[1]
Algne madala võimsusega DDR (tagantjärele nimega LPDDR1) on veidi modifitseeritudDDR SDRAM-i vorm, millel on tehtud mitu muudatust, et vähendada üldist energiatarvet.Kõige olulisemaks muudatuseks on toitepinge alandamine 2,5 voldilt 1,8 voldile. Täiendav sääst saadakse temperatuuri poolt kompenseeritud värskendamisest (DRAM nõuab madalatel temperatuuridel vähem värskendamist), osalisest massiivi enesevärskendamisest ja "sügavast väljalülitusrežiimist", mis ohverdab kogu mälu sisu. Lisaks on kiibid väiksemad, kasutades vähem ruumi kui nende mittemobiilsed ekvivalendid ning andmeedastus võib ulatuda kuni 200 Mbit/s klemmi kohta. LP-DDR-i kaks peamist pakkujat onSamsung ja Micron, kes kasutavad tehnoloogiat tahvelarvuti andmetöötlusseadmetes, näiteksiPad, Samsung Galaxy Tab 7.0 ja Motorola Droid X.[2]
Uus JEDEC-i standard JESD209-2E määratleb oluliste täiendustega madala võimsusega DDR-liidese. See ei ühildu DDR1 ega DDR2 SDRAM-iga, kuid ühildub kas:
LPDDR2, mis töötab 1,2-voldise toitepingega ning milletaktsagedus on 100–533 MHz, multipleksib juhtimis- ja aadressiread 10-bitisele DDR käskaadressi siinile.S2-seadmetel, mis on väiksemad kui 4 Gbit, ja S4-seadmetel, mis on väiksemad kui 1 Gbit, on ainult neli panka. Nad ignoreerivad panga aadressi BA2 signaali ega toeta ühekaupa pankade värskendamist.Säilmälu ei toeta andmepuhvrite reastamiseks kirjutamise käsku. Selle asemel toetavad mitmed juhtregistrid spetsiaalses aadressiregioonis lugemis - ja kirjutamiskäske, mida saab kasutada mälumassiivi kustutamiseks ja programmeerimiseks. Säilmälu ei kasuta värskenduskäske ning määrab eellaadimise käsu ümber aadressidele A20 ja sellest üleval poole olevatele aadressidele. Madala järjestusega bitte (A19 ja alla) edastatakse käsuga Aktiveeri (Activate). See viib valitud rea mälumassiivist ühte 4. või 8. (valitud BA bitide kaudu) rea andmepuhvritesse, kus neid saab lugeda Loe (Read) abil. Erinevalt DRAM-ist ei ole panga aadressi bitid osa mälust; iga aadressi saab üle kanda mis tahes rea andmepuhvrisse. Rea andmepuhver võib sõltuvalt mälu tüübist olla 32 kuni 4096 baiti.[3]
2012. aasta mais avaldas JEDEC JESD209-3 väikese võimsusega mäluseadme standardi. Võrreldes LPDDR2-ga pakub LPDDR3 suuremat andmekiirust, suuremat ribalaiust ja võimsust ning suuremat mälutihedust. LPDDR3 saavutab andmekiiruse 1600 MT/s ja kasutab uusi tehnoloogiaid. LPDDR3-l on 8-bitine eelhanke arhitektuur, ajastuste parandamiseks on kasutusele võetud käsuaadressi koolitusrežiim, edastatava signaali müra vähendamiseks on kasutusele võetud ODT (On-die Termination) tehnoloogia. 2013. aastal tutvustasSamsung Electronics esimest 4-gigabitist LPDDR3 moodulit, mis võimaldas edastada andmeid kuni 2133 Mbit/s ühe klemmi kohta. Jõudlus on rohkem kui kahekordselt suurenenud võrreldes eelneva generatsiooni LPDDR2 jõudlusega, mis oli võimeline andmeid edastama ainult 800 Mbit/s ühe klemmi kohta.
2014. aastal avaldas Micron 16 Gb LPDDR3 SDRAM-i, mille andmeedastuskiirus oli 1866 Mbit/s ühe klemmi kohta.[4]
Suurimad muudatused:
Samsung Semiconductor pakkus välja LPDDR4 variandi, mille nimi on LPDDR4X. LPDDR4X on identne LPDDR4-ga, välja arvatud see, et vähendades I/O-pinget (Vddq) 1,1 voldilt 0,6 voldile saadakse juurde lisavõimsust.
Lisaks madalamale pingele hõlmavad täiendavad täiustused ühe kanaliga kiibi valikut, mis on sobilik väiksemate rakenduste puhul.