El trabajo por el cual Dan Shechtman recibió el Premio Nobel fue en el área de loscuasicristales, materiales cristalinos ordenados que carecen de estructuras repetitivas. Aquí aparece el modelo atómico de un cuasicristal de aleación plata-aluminio (Ag-Al) (Laboratorio AMES, Departamento de Energía de los Estados Unidos).
Gracias al descubrimiento de Dan Shechtman, otros grupos fueron capaces de formarcuasicristales similares, y encontraron que estos materiales tienen bajaconductividad térmica yeléctrica, mientras que poseen altaestabilidad estructural. Los cuasicristales también se han encontrado de forma natural. Los materiales cuasicristalinos pueden utilizarse en gran número de aplicaciones, incluso la formación de acero durable para la instrumentación, aislamiento antiadherente para cables eléctricos, y también para equipos de cocina.[3][4] Por este descubrimiento, Shechtman fue galardonado con el Premio Nobel de Química en el 2011.
Shechtman se unió al equipo de científicos de la facultad del Estado de Iowa en 2004. En la actualidad ocupa alrededor de cinco meses al año en Ames en un trabajo a tiempo parcial.[5][6]
D. Shechtman, I. Blech, D. Gratias, J. W. Cahn :Metallic phase with long-range orientational order and no translational symmetry in: Physical Review Letters 53: 1951-1953, nov. 1984.(ISSN 0031-9007)
D. Shechtman :Twin Determined Growth of Diamond Wafers, in : Materials Science and Engineering A184 113. 1994.
D. P. DiVincenzo and P. J. Steinhardt, eds. 1991.Quasicrystals: The State of the Art. Directions in Condensed Matter Physics 11.ISBN 981-02-0522-8.
I. Goldfarb, E. Zolotoyabko, A. Berner, D. Shechtman :Novel Specimen Preparation Technique for the Study of Multi Component Phase Diagrams, in : Materials Letters 21: 149-154. 1994.
D. Josell, D. Shechtman, D. van Heerden:fcc Titanium in Ti/Ni Multilayers, in : Materials Letters 22: 275-279. 1995.
D. van Heerden, E. Zolotoyabko, D. Shechtman :Microstructure and strain in electrodeposited Cu/Ni multilayers, in : J. of Materials Res. 11 (11): 2825-2833 nov. 1996.
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