Bipolární tranzistor s izolovaným hradlem (Anglickyinsulated-gate bipolar transistorIGBT) je druhtranzistorů, který je zkonstruován pro velký rozsah spínaných výkonů (od zlomků W až po desítky MW)[1] a vysokoupulzní frekvenci.IGBT je integrovaná kombinace unipolární a bipolární součástky. Čip tranzistoru má hradlo izolované tenkou oxidovou vrstvou stejně, jako výkonovýMOSFET. Na kolektorové straně je vytvořenPN přechod, který injektuje minoritní nosiče do kanálu, když je IGBT sepnut. To výrazně snižuje úbytek napětí a tím i ztrátový výkon v sepnutém stavu.
Do 80. let20. století bylo poměrně těžké spínat krátké vysokovýkonové impulsy řádově v desítkách MW, protože např.bipolární tranzistory a hlavnětyristory byly sice výkonné, ale jejich spínání a vypínání bylo pomalé, zatímcoNMOS měly omezené závěrné napětí.
Proto byly vytvořeny IGBT tranzistory, které byly ze začátku nespolehlivé a velmi drahé. Postupem času se jejich spolehlivost podstatně zlepšila a cena klesla.
Různé měniče statických i mobilních zdrojů napájeníelektrických pohonů:
např.:
Obrázky, zvuky či videa k tématuIGBT na Wikimedia Commons | Tento článek je příliš stručný nebopostrádá důležité informace. Pomozte Wikipedii tím, že jej vhodněrozšíříte. Nevkládejte všakbez oprávnění cizí texty. |
