CMOS (anglickyComplementary Metal–Oxide–Semiconductor) je způsob vytváření logických členů vynalezený v 60. letech 20. století a zároveň technologie, kterou se po roce 1985 vyrábí naprostá většinalogickýchintegrovaných obvodů, včetněmikroprocesorů,jednočipových počítačů aelektronických pamětí, ale takéanalogových obvodů, jako jsousnímače obrazu,datové konvertory,zesilovače atransceivery používané vtelekomunikacích.
Nejdůležitějšími vlastnostmi obvodů CMOS je nízkáspotřeba a vysoká odolnost protišumu. Z každého páru tranzistorůMOSFET, z nichž je složeno hradlo, je vždy jeden v nevodivém stavu, proto mají obvody CMOS ve statickém stavu mnohem nižší spotřebu energie než obvodyNMOS neboTTL a produkují mnohem méně odpadního tepla; více energie se spotřebovává pouze při přepínání mezi zapnutým a vypnutým stavemtranzistorů. Velmi jednoduchá struktura logických členů a absence rezistorů umožňuje dosaženívysoké hustoty prvků načipu. Hlavní nevýhodu – nízkou rychlost prvních řad obvodů CMOS – se podařilo odstranit díky miniaturizaci a vylepšené technologii výroby.
Výraz komplementární (complementary nebo někdycomplementary-symetric) vyjadřuje, že logické členy jsou vytvářeny dvojicemi doplňujících se tranzistorůMOSFET typun ap. Zbytek zkratky „metal-oxid-semiconductor“ odkazuje na způsob realizaceřídicí elektrody tvořené u prvních obvodůhliníkem odizolovaném tenkou vrstvouoxidu křemičitého od vodivého kanálu zpolovodiče. Zkratky MOS a CMOS se používaly, i když se dlouhou dobu – až do65nm technologie – používal na řídicí elektrody jiný materiál,polykrystalický křemík. Po roce 2010 od technologie45nm se podle oznámení firemIBM aIntel kovové elektrody shigh-kdielektriky opět používají.
CMOS obvody byly vynalezeny roku1963 a patentovány roku1967 (patent 3,356,858)Frankem Wanlassem ze společnostiFairchild Semiconductor. První integrované obvody byly vyrobeny roku1968 vRCA pod vedenímAlberta Medwina.
Původně byl pro řídicí elektrodu používánhliník, později byl nahrazenpolykrystalickým křemíkem, který je odolnější proti vysokým teplotám.
Proces výroby CMOS obvodů je znázorněn na obrázku vpravo:
Jednotlivé generace technologie CMOS se označují jedním číslem představujícím šířku hradla tranzistorů na čipu. Minimální velikost hradla je nižší, naopakvlnová délkasvětla použitého při procesu může být díky různým efektům vyšší.
Čím menší velikost, tím nižší je možné používat napětí (čímž se snižuje spotřeba) a tím je možné dosáhnout vyšších frekvencí.
V tomto článku byl použitpřeklad textu z článkuCMOS na anglické Wikipedii.
Obrázky, zvuky či videa k tématuCMOS na Wikimedia Commons| Logické obvody | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Logická hradla | ||||||||||
| Kombinační obvody | ||||||||||
| Sekvenční obvody |
| |||||||||
| Programovatelné logické obvody | ||||||||||
| Technologie |
| |||||||||
| Minimalizace logických funkcí | ||||||||||
| Ostatní | ||||||||||
 | Tento článek je příliš stručný nebopostrádá důležité informace. Pomozte Wikipedii tím, že jej vhodněrozšíříte. Nevkládejte všakbez oprávnění cizí texty. |
