| Biografia | |
|---|---|
| Naixement | 4 maig 1931 Seül (Corea del Sud) |
| Mort | 13 maig 1992 (61 anys) New Brunswick (Nova Jersey) |
| Formació | Universitat Estatal d'Ohio |
| Activitat | |
| Ocupació | enginyer |
| Premis | |
| |
Dawon Kahng (4 de maig de 1931 - 13 de maig de 1992) va ser unenginyer elèctric iinventor coreà-americà, conegut pel seu treball enelectrònica d'estat sòlid. El 1959, va inventar juntament ambMohamed Atalla elMOSFET (transistor d'efecte de camp de metall-òxid-semiconductor) també conegut com a "transistor MOS". Atalla i Kahng van desenvolupar processos per a lafabricació del dispositiu semiconductorMOSFET tant en tecnologiaPMOS comNMOS. El MOSFET és el tipus detransistor més utilitzat avui dia i l'element bàsic en la majoria d'equips electrònics moderns.
Atalla i Kahng van proposar més tard el concepte delcircuit integrat MOS, i a principis dels anys 60, van fer un treball pioner en elsdíodes Schottky i elstransistors a base de mano-layers (nano-capes). El 1967 Kahng va inventar juntament amb Simon Sze, el "MOSFET de porta flotant" (floting gate MOSFET) . Kahng i Sze van proposar que el FGMOS es pogués utilitzar com a cèl·lules de memòria flotant en el tipus de memòria no volàtil (NVM) i lamemòria de només lectura (ROM) reprogramable, que es va convertir en la base de lesEPROM (ROM programable esborrable), lesEEPROM (ROM programable esborrable elèctricament) i les tecnologies dememòria flash. Kahng va entrar a la National Inventors Hall of Fame el 2009.
Dawon Kahng va néixer el 4 de maig de 1931 aSeül,Corea. Va estudiar física a la Universitat Nacional de Seül aCorea del Sud i va emigrar als Estats Units el 1955 per assistir a laUniversitat Estatal d'Ohio, on es va doctorar en física. Va ser investigador alsLaboratoris Bell Telephone deMurray Hill,Nova Jersey i, amb Mohamed Atalla el 1959, va inventar elMOSFET (transistor d'efecte de camp de metall-òxid-semiconductor), que és l'element bàsic de la majoria dels equips electrònics actuals.[1] Vanfabricar dispositius tantPMOS comNMOS amb un procés de 20 µm.[2][3] No obstant això,Bell Labs va ignorar inicialment la tecnologia MOS, ja que la companyia no estava interessada en els circuits integrats en aquell moment.
Tot allargant el seu treball en la tecnologia MOS, Atalla i Kahng van fer a continuació un treball pioner en dispositius "hot carrier", procès en el que van utilitzar el que després s'anomenaria barrera de Schottky.[4] Eldíode Schottky, també conegut com a diode de Barrera-Schottky-, va ser teoritzat durant anys, però es va realitzar per primera vegada com a resultat del treball d'Atalla i Kahng durant els anys 1960 – 1961.[5] Van publicar els seus resultats el 1962 i van anomenar al seu dispositiu "hot electron" triode structure with semiconductor-metal emitter" (estructura de tríode "electrons calents" amb emissor de metall-semiconductor).[6] Posteriorment van realitzar més recerques sobre díodes Schottky d'alta freqüència; així el díode Schottky va assumir un paper destacat en les aplicacions de mescladors d'alta freqüència .
El 1962, Atalla i Kahng van proposar i demostrar untransistor primitiu amb -base demetall "nano-layer" (nano-capa). Aquest dispositiu té una capa metàl·lica amb gruix nanomètric entre dues capes semiconductores, formant el metall, la base, i el component semiconductor formant l'emissor i el col·lector. Amb la seva baixa resistència i curts temps de trànsit a la fina base "nano-layer" metàl·lica, el dispositiu era capaç d'una altafreqüència de funcionament en comparació ambels transistors bipolars. El seu treball pioner va consistir en dipositar capes metàl·liques (la base) damunt delssubstrats semiconductors d'unsol cristall (el col·lector), amb l'emissor una peça de semiconductorcristal·lí a la part superior o una cantonada contundent pressionada fortament contra la capa metàl·lica (el punt de contacte). Van dipositar pel·lícules primes d'or (Au) amb un gruix de10 nm sobregermani de tipus N (n-Ge), mentre que el punt de contacte era de silici de tipus N (n-Si).[7]
Juntament amb el seu col·lega Simon Sze, va inventar el MOSFET "floating-gate" (portes flotants), que van presentar per primera vegada el 1967,[8] inventant també la cel·la de memòria flotant, la base per a moltes formes de dispositius de memòria de semiconductors . Kahng i Sze van proposar que la porta flotant d'un dispositiu semiconductor MOS (FGMOS) es pogués utilitzar per a la cel·la d'una ROM reprogramable, que es va convertir en la base de lesEPROM (ROM programable esborrable),[9] lesEEPROM (ROM programable esborrable elèctricament) i les tecnologies dememòria flash. També va realitzar investigacions sobre semiconductorsferro-elèctrics i materials lluminosos, i va fer importants contribucions al camp de l'electroluminescència.
Després de retirar-se dels laboratoris Bell, es va convertir en el president fundador del NEC Research Institute de Nova Jersey. Va ser membre de l'IEEE i dels laboratoris Bell. També va obtenir la medalla Stuart Ballantine de l' Institut Franklin i del premi Distinguished Alumnus of Ohio State University College of Engineering. Va morir per complicacions arran d'una cirurgia d'emergència per un aneurisma aòrtic el 1992.[10]
Kahng iMohamed Atalla van ser guardonats amb la Medalla Stuart Ballantine alsPremis Franklin Institute de 1975, per la seva invenció del MOSFET.[11][12] El 2009, Kahng va ser traslladat a la Sala de la fama nacional d'inventors.[13] El 2014, la invenció del MOSFET del 1959, es va incloure a la llista de les fites IEEE en electrònica.[14]
Malgrat que el MOSFET va permetre avenços guanyadors delPremi Nobel, com ara l'efecte Hall quàntic[15] i eldispositiu de càrrega acoblada (CCD),[16] mai no es va atorgar cap premi Nobel per la invenció del MOSFET.[17] No obstant això, el 2018, laReial Acadèmia Sueca de Ciències que concedeix els premis Nobel de ciència va reconèixer que la invenció del MOSFET feta per Atalla i Kahng va ser un dels invents més importants fets mai enmicroelectrònica i entecnologia de la informació i les comunicacions (TIC).[18]
