| dbo:abstract | - The MASTAR (Model for Analog Simulation of subThreshold, saturation and weak Avalanche Regions)is an analytical model of Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors, developed using the voltage-doping transformation (VDT) technique. MASTAR offers good accuracy and continuity in current and its derivatives in all operation regimes of the MOSFET devices. The model has been successfully used in CAD/EDA simulation tools. The official ITRS definition of the acronym MASTAR is Model for Assessment of CMOS Technologies And Roadmaps. This software is developed by STMicroelectronics and is freely distributed on ITRS organization web site. (en)
- MASTAR (Model for Analog and Digital Simulation of MOS Transistors) jest obliczeniowym modelem tranzystora . Został opracowany przy zastosowaniu metody VDT (ang. Voltage Doping Transformation) . Cechą modelu MASTAR jest dobra dokładność oraz ciągłość charakterystyki I-V wraz z pochodnymi we wszystkich zakresach polaryzacji. Model został zaimplementowany w niektórych programach wspomagających projektowanie układów elektronicznych , lecz nie jest tak rozpowszechniony jak modele EKV, HiSIM, PSP, BSIM. Jest stosowany przez komitet ITRS (ang. International Technology Roadmap for Semiconductors) do opracowania prognoz rozwoju konstrukcji tranzystorów MOS. (pl)
|
| dbo:wikiPageID | |
| dbo:wikiPageLength | - 6232 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID | |
| dbo:wikiPageWikiLink | |
| dbp:wikiPageUsesTemplate | |
| dcterms:subject | |
| gold:hypernym | |
| rdf:type | |
| rdfs:comment | - MASTAR (Model for Analog and Digital Simulation of MOS Transistors) jest obliczeniowym modelem tranzystora . Został opracowany przy zastosowaniu metody VDT (ang. Voltage Doping Transformation) . Cechą modelu MASTAR jest dobra dokładność oraz ciągłość charakterystyki I-V wraz z pochodnymi we wszystkich zakresach polaryzacji. Model został zaimplementowany w niektórych programach wspomagających projektowanie układów elektronicznych , lecz nie jest tak rozpowszechniony jak modele EKV, HiSIM, PSP, BSIM. Jest stosowany przez komitet ITRS (ang. International Technology Roadmap for Semiconductors) do opracowania prognoz rozwoju konstrukcji tranzystorów MOS. (pl)
- The MASTAR (Model for Analog Simulation of subThreshold, saturation and weak Avalanche Regions)is an analytical model of Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors, developed using the voltage-doping transformation (VDT) technique. MASTAR offers good accuracy and continuity in current and its derivatives in all operation regimes of the MOSFET devices. The model has been successfully used in CAD/EDA simulation tools. (en)
|
| rdfs:label | - MASTAR MOSFET Model (en)
- Model MASTAR tranzystora MOS (pl)
|
| owl:sameAs | |
| prov:wasDerivedFrom | |
| foaf:isPrimaryTopicOf | |
| isdbo:wikiPageRedirects of | |
| isdbo:wikiPageWikiLink of | |
| isfoaf:primaryTopic of | |
